Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U002471, 0110U005219 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технологій отримання композитів з низьковимірними халькогенідними сегнетоелектриками Назва етапу роботи Керівник роботи Рубіш В.М., Дата реєстрації 01-03-2012 Організація виконавець Ужгородський науково-технологічний центр матеріалів оптичних носіїв інформації Інституту проблем реєстрації інформації НАН України Опис етапу Проведені технологічні роботи по очистці вихідних речовин (Sb, Sn, S, Se та інші) в елементному стані, синтезу сплавів і стекол та одержанню аморфних плівок в системах TlInS2 - TlInSe2, TlGaSe2 - TlGaS2, As2S3(As2Se3, GeS2)-SbSI, As2S3-TlInS2, As2S3-Sn2P2S6. Методами раманівської спектроскопії та дифракції рентгенівських променів досліджена структура ближнього порядку стекол та кристалічних фаз, які утворюються в них при термообробці та лазерному засвічуванні. Встановлені механізми та термочасові режими відпалу для формування нанокристалічних включень SbSi, TlInS2 і Sn2P2S6 в матриці халькогенідних стекол. Досліджені діелектричні характеристики некристалічних твердих розчинів, стекол і композитів "халькогенідне скло + сегнетоелектричні кристали". Виявлено, що параметрфми композитів з низьковимірними халькогенідними сегнетоелектриками можна керувати зміною хімічного складу стекол, режиму термообробки та лазерного засвічування. Показана можливість використання досліджених матеріалів для створення пристроїв систем обробки інформації, мікроелектроніки, сенсорики, оптики. Опис продукції Проведені роботи по одержанню та комплексному дослідженню структури і властивостей твердих розчинів, тонких плівок стекол і композитів на основі низьковимірних сегнетоелектриків типу SbSI, TlInS2, Sn2P2S6. Запропоновані області практичного застосування одержаних матеріалів. Автори роботи Тарнай Андрій Амбросійович Штець Петро Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити