Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U002691, 0109U000535 , Науково-дослідна робота Назва роботи Інерційні явища в приладах з міждолинним переносом електронів та їх вплив на енергетичні та частотні характеристики діодів Ганна на основі нітридів напівпровідників А3В5 при роботі в двоконтурному резонаторі Назва етапу роботи Керівник роботи Aркуша Юрій Васильович, Дата реєстрації 26-01-2012 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - транспорт електронів у діодах Ганна на основі варизонних напівпровідників Inx(z)Ga1-x(z)N, Inx(z)Al1-x(z)N і Gax(z)Al1-x(z)N в двоконтурному резонаторі. Мета роботи - дослідження фізичних процесів, які пов'язані з МПЕ в приладах мм-діапазону на основі варизонних напівпровідників Inx(z)Ga1-x(z)N, Inx(z)Al1-x(z)N і Gax(z)Al1-x(z)N при сумісній дії електричного поля з першою і другою гармонікою. Метод дослідження - числові експерименти за допомогою трьохтемпературної моделі варизонних напівпровідникових приладів з МПЕ. Основні результати та їх новизна: 1. Встановлено, що інерційність варизонних приладів визначається найбільшою інерційністю напівпровідника, що входить до складу приладу. В AlN-InN i GaN-InN-приладах інерційність визначається InN, а AlN-GaN - GaN. Ступінь інерційності росте в ряду AlN-GaN, AlN-InN і GaN-InN. 2. Застосування двоконтурного резонатора і складного катодного контакту приводить до незначного зростання ефективності генерації на основній гармоніки. Відносне зростання ефективності складає 3ё7% 3. Найкращі вихідні характеристики мають прилади на основі AlN-InN і GaN-InN. Прилади на основі AlN-InN мають найбільшу ефективність генерації, а на основі GaN-InN - оптимальні частоти. 4. Варизонні AlN-GaN, AlN-InN і GaN-InN прилади при генерації другої гармоніки можуть ефективно працювати на ефекті міждолинного переносу електронів до частот 1ё2 ТГц. Ступінь впровадження. По матеріалах фундаментальних досліджень НДР опубліковано 5 статей у наукових журналах, та зроблено 4 доповіді на міжнародних конференціях ( 1 стаття і 1 доповідь зі студентом), одна стаття підготовлена до друку. Матеріали дослідження використовувались в учбовому процесі на кафедрі фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій Харківського національного університету імені В.Н.Каразіна. Рекомендації щодо використання результатів роботи. Динамічні властивості варизонних напівпровідникових нітридів у сильних електричних полях мають значні особливості, які відрізняють їх від інших напівпровідників А3В5. Відповідно результати НДР можуть бути використані для розвитку технологічних розробок приладів субмм-діапазону. ДІОД ГАННА, НІТРИДИ НАПІВПРОВІДНИКІВ, ВАРИЗОННИЙ НАПІВПРОВІДНИК, ЧАСТОТНА ГРАНИЦЯ, СУБМІЛІМЕТРОВИЙ ДІАПАЗОН, ІНЕРЦІЙНІСТЬ, БІГАРМОНІЙНИЙ РЕЖИМ, ТРЬОХТЕМПЕРАТУРНА МОДЕЛЬ Опис продукції Розроблена багаторівнева модель МПЕ у варизонних напівпровідниках. Отримані рівняння непреривності, густини струму і балансу енергії електронів у помірно легованих багатодолинних варизонних напівпровідниках. Розраховані динамічні залежності дрейфової швидкості та часів релаксації електронів від напруженості електричного полю в бінарних і потрійних напівпровідникових нітридах. Ступінь інерційності сполук росте від найменш інерційного AlN, AlxGa1-xN, GaN, In1-xAlxN, In1-xGaxN і InN. Інерційність варизонних приладів визначається найбільшою інерційністю напівпровідника, що входить до складу приладу. В широкої смузі частот досліджено процес генерації коливань приладами в ОНОЗ режимі і приладів з n+-n--n-n+ і n+-n-n+ профілем легування на основі GaN, InN, AlN, InхGa1-хN, AlхGa1-хN, AlхIn1-хN, у тому числі варизонних в двоконтурному резонаторі. Автори роботи Головко Л. Стороженко І Ярошенко О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити