Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U002692, 0109U000556 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нано- та мікроструктури з резонансно-туннельними та лавинними явищами на основі напівпровідників A3B5 Назва етапу роботи Керівник роботи Прохоров Едуард Дмитрович, Дата реєстрації 26-01-2012 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - структури на основі нітридів, структури з міждолинним переносом електронів (МПЕ), туннелюванням і ударною іонізацією, Ціль роботи - дослідження фізичних процесів в нових напівпровідникових приладах з тунелюванням, резонансним тунелюванням, пролітними та лавинними ефектами методами імітаційного моделювання з метою підвищення ефективності генерації та розширення частотних можливостей цих приладів. Метод дослідження - математичне моделювання фізичних процесів у напівпровідникових структурах із МПЕ і ударною іонізацією, квантоворозмірних структурах на основі напівпровідників подвійних та потрійних сполук напівпровідників А3В5, нітридів методом Монте - Карло. Актуальність досліджень обумовлена необхідністю створення нових напівпровідникових приладів для освоєння короткохвильової частини мм- і субмм-діапазонів. Новизна роботи - фундаментальні дослідження зі створення нових твердотілих активних елементів для генерації НВЧ-потужності і шумової потужності в мм- і субмм-діапазонах на основі арсеніду галію та нітридів проведені вперше. Результати роботи й рекомендації будуть впроваджені у виробництво нових твердотілих приладів мікро-та наноелектроніки. Результати роботи й рекомендації будуть впроваджені у виробництво нових твердотілих приладів мікро-та наноелектроніки. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - створення нових твердотілих активних елементів на основі МПЕ, тунелювання, лавинних ефектів для генерації й посилення електромагнітних коливань мм- і субмм-діапазонів. Основні фундаментальні результати: 1.Отримані залежності двовимірних структур на основі нітридів в діапазоні температур методом Монте Карло та визначені їх частотні властивості. 2. Отримані ефективності генерації діодів з МПЕ з різними контактами на основі нітридів в діапазоні частот і показана можливість генерації електромагнітних колвань в терагерцовому діапазоні 600 - 1000 Гц. 3. Визначені коефіціенти перетворення частоти(КПЧ) в діодах на основі нітридів GaN, AlN,InN та показана можливість підвищення КПЧ за рахунок ударної іонізації. 4. Запропоновано діоди з боковими тунельними границями. Показана можливість генерації цими діодами на частотах терагерцового діапазону. 5. Отримані спектральні характеристки діодів на основі GaAs зі статичним катодним доменом з використанням метода Монте Карло, та експериментально показана можливість створення високоефективних генераторів НВЧ шуму. Ключові слова: залежність швидкість-поле, діод Ганна, частотний діапазон, генератор, ударна іонізація, шумовий діод. Опис продукції Запропоновано новий клас напівпровідникових приладів, оснований на виникненні негативної диференціальної провідності (НДП) за рахунок тунелювання або резонансного тунелювання електронів через бокові границі діода Автори роботи Боцула О Дядченко А Клименко О. Плотникова О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити