Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U002903, 0109U004982 , Науково-дослідна робота Назва роботи Надшвидкі транзистори з лавинною ударною іонізацією та міжзонним тунелюванням Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Дата реєстрації 28-02-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблена модель тунельного польового транзистора дозволяє знайти характеристики, що властиві TFET з різною конструкцією і при різних режимах роботи. Вирази для тунельного струму були отримані в наближенні для звичайного однорідного поля та з урахуванням неоднорідності поля в області тунелювання. При низьких значеннях ефективної напруги на затворі було отримано область різкої зміни струму стоку з низьким коефіцієнтом крутизни наростання (swing) TFET і з високою крутизною характеристики. Визначено межі цієї області і пояснено причини її виникнення. Вдосконалено технологічний маршрут виготовлення прототипу КРТ польового транзистора з р-n переходом між стоком і витоком. Досліджено його детектуючу здатність при Т=77К та частоті падаючого випромінювання 77-78 ГГц. Опис продукції Розроблена модель тунельного польового транзистора, яка дозволяє знайти характеристики, що властиві TFET з різною конструкцією і при різних режимах роботи. Вирази для тунельного струму були отримані в наближенні для звичайного однорідного поля та з урахуванням неоднорідності поля в області тунелювання. При низьких значеннях ефективної напруги на затворі було отримано область різкої зміни струму стоку з низьким коефіцієнтом крутизни наростання (swing) TFET і з високою крутизною характеристики. Автори роботи Sizov F.F. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити