Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U002924, 0111U006052 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології та дослідження підсилення і генерації субтерагерцового та терагерцового випромінювання з використанням нанорозмірних напівпровідникових структур на основі сполук нітридів групи III. Назва етапу роботи Керівник роботи Кочелап В'ячеслав Олександрович, Дата реєстрації 02-03-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Представлені результати розробки технології та дослідження підсилення та генерації терагерцового та суб- терагерцового випромінювання з використанням нанорозмірних напівпровідникових структур на основі сполук нітридів групи ІІІ, зокрема, досліджені стаціонарні та надвисокочастотні характеристики діодних GaN наногетероструктур в умовах великих прикладених напруг, досліджено взаємодію терагерцового випромінювання з латеральними наноструктурами, вивчено вплив теплових ефектів на параметри наноструктур в умовах проходження сильних струмів при прикладанні великих напруг, визначено частотні вікна "від'ємної диференційної провідності" та умови збудження ТГц генерації в діодних структурах з нанорозмірною активною зоною. Запропоновано схеми каскадной генерації та підсилення ТГц випромінювання за допомогою балістичних n+-i-n+ гетеродіодів та схему модуляції ТГц випромінювання електричним полем. Одержані результати свідчать про перспективність обраного напрямку досліджень та розробок нових терагерцових технологій на основі наногетероструктур з нітридів групи III. Опис продукції Дослідження стаціонарних та надвисокочастотних характеристик нанорозмірних n+i(n)-n+ GaN діодів в умовах великих прикладених напруг Автори роботи Бєляєв О.Є. Конакова Р.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити