Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U004151, 0109U002574 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ближньопольова НВЧ томографія приповерхневих областей напівпровідникових матеріалів та структур Назва етапу роботи Керівник роботи Гордієнко Юрій Омелянович, Дата реєстрації 30-01-2012 Організація виконавець Харківський національний університет радіоелектроніки Опис етапу У рамках теми досліджень, визначеної у технічному завданні - було одержано ряд практичних результатів: 1. Розроблено фізичні моделі впливу електрофізичних параметрів напівпровідника на резонансні властивості НВЧ - датчика 2. Розроблено фізичні моделі взаємного впливу локальних неоднорідностей при проведенні НВЧ - діагностики 3. Експериментально на макеті мікрохвильового мікроскопу досліджено електрофізичні параметри напівпровідника, та перевірено адекватність розроблених моделей. 4. Побудовано критерій оптимізації параметрів сканування (крок сканування, повітряний проміжок між зондом та поверхнею, кількість повторних вимірів у кожній точці) на підставі рішення прямої задачі та інформації про шуми. 5. Розроблено алгоритм мікрохвильової скануючої томографії локальних одиничних дефектів (визначення глибини розташування та ефективного діаметру, а також інтегральних електрофізичних параметрів) 6. Розроблено алгоритм пошарової реконструкції параметрів напівпровідника при скануванні на різних висотах. 7. Проведено попередні експериментальні дослідження об'єктів з неоднорідним розподілом параметрів. 8. Розроблено та оптимізовано методики томографічного дослідження напівпровідникових зразків. Аналіз результатів попередніх експериментальних досліджень напівпровідникових об'єктів з неоднорідним розподілом параметрів свідчить про працездатність розроблених методів та їх високу конкурентоспроможність у порівнянні із аналогами. Опис продукції У рамках теми досліджень, визначеної у технічному завданні - було одержано ряд практичних результатів:1.Розроблено фізичні моделі впливу електрофізичних параметрів напівпровідника на резонансні властивості НВЧ - датчика. 2.Розроблено фізичні моделі взаємного впливу локальних неоднорідностей при проведенні НВЧ - діагностики. 3. Експериментально на макеті мікрохвильового мікроскопу досліджено електрофізичні параметри напівпровідника, та перевірено адекватність розроблених моделей. 4. Побудовано критерій оптимізації параметрів сканування (крок сканування, повітряний проміжок між зондом та поверхнею, кількість повторних вимірів у кожній точці) на підставі рішення прямої задачі та інформації про шуми. 5. Розроблено алгоритм мікрохвильової скануючої томографії локальних одиничних дефектів (визначення глибини розташування та ефективного діаметру, а також інтегральних електрофізичних параметрів) 6. Розроблено алгоритм пошарової реконструкції параметрів напівпровідника при скануванні на різних висотах. 7. Пр Автори роботи Бондаренко Ігор Миколайович Гуртовий Михайло Юрійович Жижирій Андрій Сергійович Мельник Сергій Іванович Проказа Олександр Юрійович Сергєєв Павло Юрійович Фролов Евген Юрєвич Чхотуа Марк Сулхан Шевченко Сергій Васильович Шиян Оксана Павлівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити