Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U004229, 0110U001381 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження дії механічних,магнітних та іонізуючих полів на властивості широкозонних напівпровідникових кристалів та поверхнево-бар'єрних структур Назва етапу роботи Керівник роботи Павлик Богдан Васильович, Дата реєстрації 31-01-2012 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Експериментально встановлено, що при дозах опромінення менших 390 Гр в кристалах кремнію відбувається перебудова структурних дефектів до складу яких входять дислокації. Виявлено викликані дією магнітного поля ефекти перебудови структурних дефектів на границі розділу напівпровідник-метал. Розроблено методики пластичної деформації масивних зразків кремнію одновісним стиском при підвищених температурах. Експериментально встановлено, що різна концентрація дислокацій на поверхні кристалів р-Si призводить до відмінностей електрофізичних характеристик поверхнево-бар'єрних структур виготовлених на основі цих кристалів. Запропоновано фізичну модель процесів взаємодії структурних і радіаційних дефектів у монокристалах Sі. Запропоновано методику розрахунку наборів електрофізичних (прямої вітки вольт-амперної характеристики) та конструктивних параметрів p-n переходу, який може бути використаний як сенсор для вимірювача температури. Підібрано транзистор, який забезпечує максимальну ширину температурної характеристики (-60 +250) 0 С та максимальну чутливість термосенсора, що дає змогу покращити метрологічні характеристики термометрів цифрових серії ТП в порівнянні з кращими світовими аналогами. Опис продукції В процесі виготовлення електронних пристроїв поверхня кристалів кремнію піддається різним видам обробки (різка, шліфування, полірування, травлення, осаджування іншими матеріалами і т.н.) При цьому на поверхні і в приповерхневому шарі генеруються структурні дефекти, які можуть в часі зазнавати відповідної перебудови, що у свою чергу , приводить до змін та деградації характеристик пристроїв. 1. З метою покращення вихідних характеристик поверхнево-бар'єрних структур (ПБС) із заданими параметрами запропоновано оригінальну методику формування ПБС. 2. Для дослідження впливу дислокацій на електрофізичні характеристики напівпровідникових кристалів розроблено та виготовлено установку для термомеханічного збудження дислокацій методом одновісного стиску, яка дозволяє вводити прогнозовану густину дислокацій. Автори роботи Грипа Андрій Сергійович Дідик Роман Іванович Кушлик Маркіян Олегович Лис Роман Мирославович Павлик Богдан Васильович Слободзян Дмитро Петрович Шикоряк Йосип Андрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити