Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U004291, 0109U000380 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних механізмів утворення низькорозмірних атомних кластерів під дією механічних напружень Назва етапу роботи Керівник роботи Надточій Віктор Олексійович, Дата реєстрації 03-02-2012 Організація виконавець Слов'янський державний педагогічний університет Опис етапу Об'єктом дослідження є напівпровідникові кристали германію, кремнію та арсеніда галію 1. Метою досліджень було: з'ясувати фізичний механізм впливу ростових і деформаційних точкових дефектів на процес зародження і розподілу дислокацій у приповерхневих шарах монокристалічного германію під дією низькотемпературного деформування, використовуючи можливості оптичної і електронної мікроскопії; проаналізувати механізм руйнування монокристалічного германію при низьких температурах, що спостерігається у процесі одновісного стискання з одночасним ультразвуковим опроміненням; запропонувати новий спосіб утворення нанорозмірних напівпровідникових структур, використовуючи явище дифузійного масопереносу на поверхні при наявності градієнта механічних напружень. Основні наукові результати роботи: - обґрунтовано фізичні механізми структурної модифікації приповерхневих шарів напівпровідників під дією зовнішніх факторів; - запропоновано новий метод створення нанорозмірних острівцевих структур на поверхні германію спеціальними методами деформування кристалів при понижених температурах; - проаналізовано механізм руйнування ковалентних кристалів при низьких температурах. Відмінні риси і перевага отриманих результатів визначаються за змістом поданих заявок на винахід: 1. Спосіб визначення міри дефектності приповерхневих шарів монокристалів Ge та Si. 2. Спосіб утворення наноструктур на поверхні германію. Практична цінність результатів дослідження полягає в тому, що вони поглиблюють розуміння фізичних явищ, які відбуваються поблизу поверхні алмазоподібних кристалів (Gе, Si, GaAs) в умовах циклічного деформування при понижених температурах та дифракційно-модульованого за інтенсивністю лазерного опромінення. Запропоновані авторами методики дозволяють створювати унікальні за фізичними властивостями об'єкти-кластери та наноструктури, що мають вихід у нанотехнологію електронних приладів: лазерів, резонансно-тунельних діодів, транзисторів з двовимірним електронним газом, фотодетекторів і т.ін. Також результати дослідження можуть бути використані у технологіях виготовлення перспективних напівпровідникових приладів. Опис продукції Протягом 2009 - 2011 років опубліковано 2 статті у фахових виданнях України, 4 матеріалів наукових конференцій та 5 тез доповідей, подано до друку 2 статті. Подано 2 заявки на отримання патентів: 1.Надточий В.А., Уколов А.И. Способ определения степени дефектности приповерхностных слоев монокристаллов германия и кремния // Заявка на винахід, Київ, регістраційний номер №201003112. 2.Надточий В.А., Уколов А.И. Способ создания наноструктур на поверхности германия // Заявка на изобретение. Отослано 22.06.2011 р., Киев, регистрационный номер № А.2011.08095. Автори роботи Надточій Віктор Олексійович Нечволод Микола Кузьмич Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити