Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U004371, 0111U010547 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AlN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці Назва етапу роботи Керівник роботи Перекрестов В"ячеслав Іванович, Дата реєстрації 09-02-2012 Організація виконавець Сумський державний університет Опис етапу Об'єкт дослідження - процеси структуроутворення конденсатів Si, SiC і AlN за умов прояву польової селективності та наближення до термодинамічної рівноваги. Метою проекту є дослідження й розробка нових технологічних підходів до формування конденсатів Si, SiC і AlN, основаних на явищах самоорганізації квазірівноважних стаціонарних процесів на межі поділу низькотемпературна плазма-конденсат. На першому етапі виконання проекту реалізована самоорганізація різних структурно-морфологічних характеристик поверхні Si, як прояв польової селективності. При дослідженні елементного складу конденсатів було встановлено що формування високотекстурованих шарів політипу 3С-SiC можливе за умов іонного розпилення в високочистому інертному середовищі складеної з графіту та кремнію мішені. Для отримання 3С-SiC визначені такі технологічні параметри, як температура підкладки, тиск робочого газу, геометричні характеристики складеної мішені та оптимальна відстань мішень підкладка. Найбільш близькі до стехіометричного складу конденсати системи Al N можна отримати при використанні накопичувальної системи плазма конденсат та проточному напуску парів рідкого азоту, тиск яких підтримувався на рівні 9 Па. При цьому встановлено, що впродовж нарощування конденсату відбувається перехід від аморфного до кристалічного стану у вигляді гексагональної решітки вюрциту. Опис продукції Відпрацьована та досліджена технологія отримання плівок SiC, AlN в квазірівноважних умовах у високочистому інертному середовищі при конденсації гранично слабких потоків речовини за допомогою магнетрону на постійному струмі, а також технологія осадження конденсатів в зворотних дифузійних потоках розпиленої речовини в накопичувальній іонно-плазмовій системі Автори роботи Дьошин Борис Вікторович Дьошин Віктор Борисович Корнющенко Ганна Сергіївна Космінська Юлія Олександрівна Латишев Віталій Михайлович Мокренко Олександр Анатолійович Перекрестов Вячеслав Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Перекрестов В"ячеслав Іванович. Технології отримання сучасних напівпровідникових плівок SiC, AlN для застосування в мікроелектроніці та оптоелектроніці. (Етап: ). Сумський державний університет. № 0212U004371
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17