Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U004490, 0107U009533 , Науково-дослідна робота Назва роботи Явления переноса в полупроводниках АІІВVI Назва етапу роботи Керівник роботи Малик Орест Петрович, Дата реєстрації 14-02-2012 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу На основі принципу близькодії розроблено моделі розсіяння носіїїв заряду на різного типу дефектах в напівпровідниках АІІВVI. Для розрахунку компонентів тензора провідності використовувався метод точного розв'язку стаціонарного рівняння Больцмана. Розрахована температурна залежність рухливості носіїв заряду в кристалах CdxHg1-xTe (0<x<1), CdxHg1-xSe (0<x<0.547), в ZnxCd1-xTe (0<x<1), ZnxHg1-xSe (0.02< x1), ZnxHg1-xTe (x=0.15) та GaN. Розглянуто вплив різних механізмів розсіяння на рухливість носія заряду. Встановлено добру узгодженість теорії та експерименту у всьому розглянутому інтервалі температур. Встановлені параметри розсіяння для різних механізмів розсіяння. Опис продукції На основі принципу близькодії розроблено моделі розсіяння носіїїв заряду на різного типу дефектах в напівпровідниках АІІВVI. Автори роботи Малик Орест Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити