Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U004494, 0107U009511 , Науково-дослідна робота Назва роботи Властивості поверхні вузькощілинних напівпровідників на основі хадькогенідів ртуті та свинцю Назва етапу роботи Керівник роботи Берченко Микола Миколайович, Дата реєстрації 14-02-2012 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Для оцінки хімічного складу власного оксиду твердого розчину на основі халькогенідів PbSnTe застосовано метод діаграм фазових рівноваг (ДФР). Експериментальні дослідження проведені методом рентгеноструктурного аналізу термічно окиснених зразків дозволили встановити основні сполуки, що утворюються в процесі окиснення і які добре узгоджуються з ДФР . Проведено порівняння , показано, що саме склад компонентів на границі розділу власного оксиду твердих розчинів HgCdTe, HgMnTe та HgZnTe згідно з ДФР визначає такі параметри МОН структур на їх основі, як термічна стабільність анодного оксиду. Опис продукції Визначено склад власного оксиду твердих розчинів вузькощілинних напівпровідників, що знайшли широке застосування при виготовленні фотоелектричних пристроїв. Проведено порівняння електричних властивостей структур метал-оксид-напівпровідник (МОН) на їх основі. Автори роботи Берченко Микола Миколайович Фадєєв Сергій Вікторович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити