Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U004899, 0111U003021 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот Назва етапу роботи Керівник роботи Пузіков Вячеслав Михайлович, Дата реєстрації 07-02-2012 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу Досліджено параметри ВАХ та ВФХ меза- структур кремнієвих високовольтних НВЧ pin діодів з товщиною і-області 200мкм з захищеною поверхнею в діапазоні температур 20-200 гр.С. Вперше показано, що захист поверхні меза- структур НВЧ pin діода шаром наноструктурованого карбіду кремнію завтовшки 1-2 мкм забезпечує достатню стабільність параметрів ВАХ після випробування протягом 50 годин в умовах підвищеної вологості (95+2)% та температ. (60+3)гр.С та в умовах впливу термоциклів -55 - +200гр.С. Опис продукції Досліджені параметри ВАХ та ВФХ меза- структур кремнієвих високовольтних НВЧ pin діодів товщиною і-області 200мкм з захищеною поверхнею в діапазоні температур 20-200 гр.С. Вперше показано, що захист поверхні меза- структури НВЧ pin діода шаром наноструктурованого карбіду кремнію завтовшки 1-2мкм забезпечує достатню стабільність параметрів ВАХ після випробування протягом 50 годин при підвищенній вологості(95+3)% та температурі (60+3)гр.С і впливу термоциклів -55+200гр С. Автори роботи Лопін Олександр Володимирович Семенов Олександр Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Пузіков Вячеслав Михайлович. Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот. (Етап: ). Інститут монокристалів НАН України. № 0212U004899
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17