Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U004942, 0110U006453 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення методів здійснення експрес-контролю за якістю напівпровідникових багатошарових наноструктур та наноматеріалів в процесі виробництва з використанням засобів скануючої мікрохвильової мікроскопії. Назва етапу роботи Керівник роботи Сліпченко Микола Іванович, Дата реєстрації 09-02-2012 Організація виконавець Харківський національний університет радіоелектроніки Опис етапу Проведений аналіз параметрів якості напівпровідникових багатошарових наноструктур та наноматеріалів, які контролюються в процесі виробництва, та оцінка обмежень існуючих методів контролю і принципових можливостей скануючої мікрохвильової мікроскопії. Розроблені методи чисельного моделювання. Проведено теоретичний аналіз і оптимізація параметрів НВЧ резонаторних мікрозондів з метою підвищення чутливості та роздільної здатності мікродіагностики напівпровідникових структур. Розроблені та випробувані алгоритми встановлення значень електрофізичних параметрів однорідного зразка за результатами вимірювання характеристик резонаторного датчика, відновлення розподілу електрофізичних параметрів у заданому шарі при контролі нанорозмірних складних структур, підвищення роздільної здатності методу реконструкції з урахуванням апріорної інформації щодо геометричних і електрофізичних особливостей об?єкту, що досліджується. Опис продукції Розроблені методи чисельного моделювання дозволяють проводити теоретичний аналіз і оптимізацію параметрів НВЧ резонаторних мікрозондів для виявлення умов підвищення чутливості та роздільної здатності мікродіагностики напівпровідникових структур. Розроблені методики реконструкції стосовно мікрохвильової мікроскопії дозволяють: - визначати електрофізичні параметри в однорідному шарі з точністю, що залежить як від геометричних параметрів зонду, так і від відношення сигнал/шум; - проводити реконструкцію розподілу електрофізичних параметрів у тонкому шарі на завданій глибині; - підвищити роздільну здатність за рахунок коректного врахування апріорної інформації про об'єкт контролю. Розроблений та випробуваний алгоритм пошарової реконструкції розподілу електрофізичних параметрів багатошарових наноматеріалів і виробів з наноструктурою, які використовуються в електроніці, дозволить проводити технологічний поопераційний пошаровий аналіз більшості типових багатошарових структур електронної техніки. Автори роботи Бондаренко Ігор Миколайович Гордієнко Юрій Омелянович Гуд Юрій Іванович Мельник Сергій Іванович Полєтаєв Дмитро Олександрович Проказа Олександр Михайлович Сорока Олександр Степанович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити