Реєстраційний номер
0212U005122,
0108U010880
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка нових принципів, методів і засобів одержання, дослідження і характеризації напівпровідникових матеріалів і структур, створення елементної бази перспективної напівпровідникової електронної техніки, в т. ч. на основі нових фізичних явищ
Назва етапу роботи
Керівник роботи
В.Ф. Мачулін, О.І. Власенко,
Дата реєстрації
15-03-2012
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
РЕФЕРАТ Звіт про НДР: 1031 с., 3 частини, 1 додаток , 236 рис., 23 табл., 429 посилань. Об'єкт дослідження та розроблення: розробка нових принципів, методів і засобів одержання, дослідження і характеризації перспективних напівпровідникових матеріалів і структур, створення елементної бази сучасної високоефективної напівпровідникової електронної техніки, в т. ч. на основі нових фізичних явищ. Мета роботи: розробка перспективних напівпровідникових матеріалів і структур для потреб високоефективної опто-, мікро- і сенсорної електроніки. Результати роботи: отримано нові важливі наукові, науково- технічні та технологічні результати по наступних напрямках: " розробка основ терагерцової електроніки; " розробка функціональних приладів опто- і мікроелектроніки на базі нових шаруватих і композитних матеріалів та розробка методів контролю і характеризації їх параметрів; " розробка методик радіоспектроскопічної та оптичної діагностики змін характеристик напівпровідникових і діелектричних матеріалів та структур під дією активних впливів; " розробка технологій одержання та модифікації напівпровідникових структур на основі сполук AIIBVI, полімерів та елементарних напівпровідників для створення фотоперетворювачів; " розробка оптимізованих технологій одержання нанокомпозитів та періодичних нанорозмірних структур на принципах керованої самоорганізації та створення макетів приладних систем на їх основі; " розробка нових методів Х-променевої та скануючої зондової діагностики напівпровідникових наноструктур; " розробка пасивних та активних елементів та технологій ІЧ- техніки; " розробка процесів формування кристалічних та наноструктурованих плівок нових органічних матеріалів та структур на основі напівпровідників (AIIIBV, AIIBVI) фізичними, хімічними, електрохімічними методами і вивчення їх абсорбційних, електронних, оптичних властивостей з метою створення сенсорної компонентної бази. Результати НДР є принципово важливими для створення сучасних технологій одержання напівпровідникових матеріалів і структур та елементної бази для потреб мікро-, опто- і фотоелектронної техніки. ОПТОЕЛЕКТРОНІКА, ФОТОЕЛЕКТРОНІКА, НАПІВПРОВІДНИКОВІ НАНОРОЗМІРНІ СТРУКТУРИ, АКУСТИЧНА ЕМІСІЯ, ІЧ-ФОТОДЕТЕКТОРИ, НАПІВРОВІДНИКОВІ ФОТОННІ КРИСТАЛИ, НАНОПОКРИТТЯ, НАНОКОМПОЗИТИ, ГЕТЕРУВАННЯ, ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІ, НАНОСТРУКТУРИ, ГЕТЕРОСТРУКТУРИ, СЕНСОРИ, ОПТОЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ. Умови одержання звіту : за договором. 03171, Київ-171, вул. Антоновича, 180, УкрІНТЕІ.
Опис продукції
Робота мала за мету розробку перспективних напівпровідникових матеріалів і структур для потреб високоефективної опто-, мікро- і сенсорної електроніки
Автори роботи
Список виконавців на 17 сторінках та в електронному вигяліді додається
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
