Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U005571, 0112U003811 , Науково-дослідна робота Назва роботи Використання нових матеріалів буферних та поглинаючих шарів для дешевих плівкових полікристалічних сонячних елементів на основі гетеропереходів Назва етапу роботи Керівник роботи Опанасюк Анатолій Сергійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 13-12-2012 Організація виконавець Сумський державний університет Опис етапу Об'єктом досліджень є процеси структуро- та фазоутворення у тонких плівках халькогенідів цинку (ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe) та Cu2ZnSnS4 (CZTS), Cu2ZnSnSe4 (CZTSe), одержаних методом квазізамкненого об'єму на неорієнтуючих підклaдкaх і підшарах інших матеріалів, їх вплив на оптичні, люмінесцентні, електричні властивості шарів. Метою роботи є дослідження та оптимізація структурних, субструктурних, оптичних та електрофізичних параметрів віконних (ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe) та поглинаючих шарів (СdTe, CZTS, CZTSe) для тонкоплівкових сонячних елементів наступного покоління на основі дешевих, екологічно безпечних сполук. Опис продукції Проведено дослідження раманівських спектрів плівок ZnS, ZnSe, ZnTe, отриманих сублімацією у квазізамкненому об'ємі при різних температурах підкладки. Визначені температури осадження плівок з мінімальним рівнем макронапружень. Розраховані концентрації приповерхневих станів та відстані між найближчими поверхневими дефектами, які можуть формуватися на гетеропереходах утворених різними віконними (CdS, ZnS, ZnSe) та поглинаючими шарами (CZTS, CZTSe) сонячних елементів через невідповідність параметрів гратки матеріалів. Встановлені пари напівпровідникових матеріалів, що утворюють гетеропереходи близькі до ідеальних. Автори роботи Іващенко Максим Миколайович Бересток Таїсія Олександрівна Климов Олексій Володимирович Коваль Павло Вікторович Курбатов Денис Ігоревич Опанасюк Анатолій Сергійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити