Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U005572, 0112U003811 , Науково-дослідна робота Назва роботи Використання нових матеріалів буферних та поглинаючих шарів для дешевих плівкових полікристалічних сонячних елементів на основі гетеропереходів Назва етапу роботи Керівник роботи Опанасюк Анатолій Сергійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 13-12-2012 Організація виконавець Сумський державний університет Опис етапу Об'єкт досліджень - напівпровідникові плівки Zn1-хMnхS, Zn1-хMnхTe, ZnO що можуть бути ефективно використані для створення вікон до поглинаючих шарів на основі чотирикомпонентних сполук Cu2ZnSnS4 (CZTS), Cu2ZnSnSe4 (CZTSe), а також в опто-, і мікроелектроніці. Метою роботи є огляд сучасних технологій отримання плівок Zn1-хMnхS, Zn1-хMnхTe, ZnO. Нанесення конденсатів оксиду цинку шляхом хімічного осадження з розчину, а плівок Zn1-хMnхS, Zn1-хMnхTe методом вакуумної сублімації в квазізамкненому об'ємі, а також дослідження їх властивостей. Опис продукції Проведено дослідження раманівських спектрів плівок ZnS, ZnSe, ZnTe, отриманих сублімацією у квазізамкненому об'ємі при різних температурах підкладки. Визначені температури осадження плівок з мінімальним рівнем макронапружень. Розраховані концентрації приповерхневих станів та відстані між найближчими поверхневими дефектами, які можуть формуватися на гетеропереходах утворених різними віконними (CdS, ZnS, ZnSe) та поглинаючими шарами (CZTS, CZTSe) сонячних елементів через невідповідність параметрів гратки матеріалів. Встановлені пари напівпровідникових матеріалів, що утворюють гетеропереходи близькі до ідеальних. Опубліковано в: Праці міжнародної конференції Nanomaterials: Applications and Properties - 2012. - Ч.1, №3. - С. 03TF21-1-03TF21-3 Автори роботи Бересток Таїсія Олександрівна Климов Олексій Володимирович Коваль Павло Вікторович Курбатов Денис Ігоревич Опанасюк Анатолій Сергійович Опанасюк Надія Миколаївна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити