Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U005686, 0112U004115 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення методів інтерференційної нанолітографії для формування рельєфно-фазових наноструктур з використанням вакуумних фоторезистів" 3 етап -"Розробка та дослідження інтерференційної фотолітографії напівпровідникових пластин". Назва етапу роботи Керівник роботи Індутний Іван Захарович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 08-01-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджені кінетичні залежності та визначена швидкість процесу фотостимульованого позитивного рідинного травлення шарів вакуумних халькогенідних фоторезистів в залежності від температури їх відпалу, інтенсивності та спектрального складу випромінювання. Встановлені оптимальні режими нового процесу інтерференційного фототравлення термічно оброблених халькогенідних шарів та отримано патент України на винахід. За допомогою запатентованого процесу методом інтерференційної фотолітографії (в тому числі з використання імерсії) виготовлені зразки рельєфно-фазових граток та літографічних масок з просторовими частотами в інтервалі 900 - 4400 мм-1. Оптимізовано технологічні режими формування граток та біграток з елементами мікронних та субмікронних розмірів на поверхні Si <100> з використанням резистивної маски Ge25Se75-Cr та лужних травників анізотропного типу. Проведені дослідження профіля штрихів отриманих граток за допомогою атомного силового мікроскопа, та спектрального і кутового розподілу дифракційної ефективності. Опис продукції Розроблено метод інтерференційного фототравлення халькогенідних фоторезистів, в тому числі на основі халькогенідів германію. Цей метод дозволяє реалізувати фотолітографічний процес на шарах халькогенідів, відпалених при температурі близькій до температури розм'якшення халькогенідного скла, шляхом одночасного експонування та селективного травлення таких шарів. Розроблений метод може знайти застосування у виробництві оптоелектронних приладів та оптичних сенсорів. Автори роботи Данько Віктор Андрійович Жовмір Сергій Сергійович Луканюк Марія Василівна Минько Віктор Іванович Михайловська Катерина Василівна Сопінський Микола Вікторович Шепелявий Петро Євгенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Індутний Іван Захарович. "Розроблення методів інтерференційної нанолітографії для формування рельєфно-фазових наноструктур з використанням вакуумних фоторезистів" 3 етап -"Розробка та дослідження інтерференційної фотолітографії напівпровідникових пластин".. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0212U005686
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14