Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U005689, 0111U005976 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення й оптимізація ефективних методів вирощування та збагачення ізотопом 82Se монокристалів ZnSe та процесів хімічного полірування їх поверхні для виготовлення робочих елементів низькотемпературних сцинтиляційних болометрів" Назва етапу роботи Керівник роботи Томашик Василь Миколайович, Доктор хімічних наук Дата реєстрації 08-01-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу РЕФЕРАТ Звіт про НДР: 63 с., 3 табл., 28 рис., 50 джерел. Об'єкти дослідження - технологічні процеси відпалу кристалів цинк селеніду та процеси їх хімічної обробки, нелеговані та леговані кристали ZnSe. Мета роботи - розробка методики відпалу кристалів Zn82Se у контрольованому газовому середовищі для зменшення рівня залишкових термопружних напружень, формування необхідної структури точкових дефектів, що обумовлюють сцинтиляційні характеристики кристалів; виготовлення дослідних зразків кристалів Zn82Se, розроблення й оптимізація травильних композицій для операцій хіміко-механічного і хіміко-динамічного полірування кристалів нелегованого та легованого ZnSe. Методи дослідження - патентний пошук; відпал у контрольованому газовому середовищі; вивчення закономірностей травлення кристалів методом диску, що обертається; дослідження стану поверхні після різних етапів механічної і хімічної обробки методами металографічного і профілографічного аналізів, електронної і атомно-силової мікроскопії; вивчення спектрів низькотемпературної фотолюмінесценції; випробування. Розроблено лабораторну методику відпалу ZnSе у контрольованому газовому середовищі для зменшення рівня залишкових термопружних напружень і формування необхідної структури точкових дефектів, що обумовлюють сцинтиляційні характеристики. Визначено оптимальні умови термічної обробки болометрів ZnSе (Т=1273 К впродовж 50-60 год.), що забезпечують зниження рівня залишкових внутрішніх напруг, підвищення границі міцності і тріщиностійкості, а також сприяють збільшенню оптичного пропускання кристалів. Встановлено закономірності хімічного травлення нелегованих та легованих телуром і алюмінієм кристалів ZnSe; вплив складу травників, легування матеріалів і технологічних параметрів обробки на шорсткість поверхні та її властивості. За даними діаграм "склад травника - швидкість травлення", результатами досліджень стану і фізичних властивостей поверхні після хімічної обробки розроблено склади нових бромвиділяючих травильних композицій H2O2 - HBr -оксалатна кислота (етиленгліколь) для хіміко-динамічного і хіміко-механічного полірування цих матеріалів та режими проведення цих операцій. Вивчено спектри низькотемпературної (Т = 5 К) фотолюмінесценції (ФЛ) кристалів, ідентифіковані відповідні смуги в екситонній і домішковій областях спектру, проаналізована залежність інтенсивності та енергетичного положення смуг фотолюмінесценції від типу легуючої домішки і способу механічної і хімічної обробки досліджуваних матеріалів. ЦИНК СЕЛЕНІД, ТЕМПЕРАТУРНА ОБРОБКА, ВІДПАЛ, ТЕРМОПРУЖНІ НАПРУГИ, ПОВЕРХНЯ КРИСТАЛУ, ХІМІЧНЕ ПОЛІРУВАННЯ, НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНА ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, СЦИНТИЛЯЦІЙНІ БОЛОМЕТРИ. Опис продукції Лабораторна методика відпалу ZnSе у контрольованому газовому середовищі для зменшення рівня залишкових термопружних напружень і формування необхідної структури точкових дефектів, що обумовлюють сцинтиляційні характеристики. Оптимальні умови термічної обробки болометрів ZnSе, що забезпечують зниження рівня залишкових внутрішніх напруг, підвищення границі міцності і тріщиностійкості та сприяють збільшенню оптичного пропускання кристалів. Автори роботи Єрмаков В.М. Будзуляк С.І. Вахняк Н.Д. Воронкін Є.Ф. Галкін С.М. Демчина Л.А. Калитчук С.М. Капуш О.А. Корбутяк Д.В. Кравецький М.Ю. Кравцова А.С. Купчак І.М. Лисецька О.К. Пащенко Г.А. Рибалка І.А. Стратійчук І.Б. Сукач А.В. Томашик З.Ф. Тріщук Л.І. Ю.В. Крюченко Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити