Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U005697, 0112U008174 , Науково-дослідна робота Назва роботи Субмікронна оптична спектроскопія фононних і плазмон-фононних збуджень в напівпровідникових наноматеріалах та приладних гетероструктурах Назва етапу роботи Керівник роботи Ніколенко Андрій Сергійович, Дата реєстрації 25-12-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджено просторове впорядкування наноострівців SiGe, сформованих на напружених буферних шарах Si1-xGex. Показано, що ріст наноострівців на проміжних шарах Si1-xGex не тільки стимулює ефект їх просторового впорядкування, але і підсилює роль інтердифузних процесів. Виявлено значне збільшення об'єму острівців в процесі епітаксії пов'язане з індукованою неоднорідним полем пружних деформацій аномально сильною дифузією матеріалу з буферного шару в острівці. Показано, що анізотропія форми і просторового впорядкування острівців є наслідком анізотропії дифузійних процесів в полі просторово-неоднорідних пружних деформацій. Методом мікро-КРС спектроскопії досліджено процес формування кремнієвих нанокристалітів в результаті структурно-фазової трансформації плівок SiOx та SiOx:Er,F при їх термічному відпалі. Встановлено, що кристалізація наночастинок кремнію є набагато інтенсивнішою у випадку легованих плівок SiOx:Er,F. Показано, що легування ErF3 з високотемпературним відпалом при 750°С приводить до послаблення фотолюмінесценції нанокластерів Si та дефектної люмінесценції матриці SiOх і підсилює фотолюмінесценцію іонів Er3+ у ближній інфрачервоній області спектру. Розроблено методичний підхід до теоретичного моделювання змішаних плазмон-фононних мод в експериментальних спектраx КРС легованих епітаксійних шарів GaN. Для конфокальних спектрів КРС, отриманих при скануванні по глибині досліджуваних Ганн-діодних структур GaN, проведено моделювання фононних та змішаних плазмон-фононних мод, та встановлено просторовий розподіл концентрації вільних носіїв заряду та механічних напружень. Опис продукції Розроблені методи будуть використані при вирішені фізичних проблем впливу структурних параметрів на оптичні та електронні властивості наноструктур, що є важливим як для науки, так і для технології. Розробка локальних методів діагностики дозволить визначати просторові розподіли концентрації вільних носіїв заряду та механічних напружень в приладних гетероструктурах із субмікронною просторовою роздільною здатністю, Автори роботи Авраменко Катерина Андріївна Коломис Олександр Федорович Насєка Юрій Миколайович Романюк Артем Сергійович Стрельчук Віктор Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити