Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U005698, 0111U005562 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення і дослідження фізичних властивостей новітніх напівпровідникових наноструктур з резонансною взаємодією плазмових і фононних збуджень Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 25-12-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Методом спектроскопії комбінаційного розсіяння світла досліджено фононні збудження та ефекти плазмон-фононної взаємодії в легованих епітаксійних шарах GaN. Встановлено розподіл концентрації вільних носіїв заряду та пружних деформацій по глибині та в площині сколу Ганн-діодних структур GaN при варіюванні товщини нелегованої області. Виявлену високу концентрацію вільних носіїв заряду в номінально нелегованих областях Ганн-діодних структур пояснено ефектом дифузійного розмиття концентраційних профілів внаслідок високої температури росту епітаксійних GaN шарів. Досліджено просторові неоднорідності компонентного складу в епітаксійних шарах InxGa1-xN, вирощених на сапфіровій підкладці з буферним шаром GaN методами MBE та MOVPE. Встановлено, що зсув частоти А1LO(InхGa1-хN)-моди, обумовлений зміною компонентного складу по глибині структури, становить 18 см-1, що відповідає зміні компонентного складу в області від 32% до 45%. Спостережуваний ефект поступового зменшення (збільшення) частоти А1LO(InGaN) смуги при скануванні вздовж напряму росту шарів InGaN/GaN однозначно вказує на градієнтний характер зміни вмісту індію та релаксацію пружних деформацій в шарах InGaN. Опис продукції Розроблені методи будуть використані при вирішені фізичних проблем впливу структурних параметрів на оптичні та електронні властивості наноструктур, що є важливим як для науки, так і для технології. Розробка локальних методів діагностики дозволить визначати просторові профілі концентрації (рухливості) вільних носіїв заряду, затухання плазмонів (оптичних фононів), профілів структурної досконалості нітридних шарів приладних гетероструктур із субмікронною просторовою роздільною здатністю. Розробка теоретичної моделі плазмон-фононної взаємодії в нітридних сполуках з малою рухливістю носіїв заряду забезпечить статистичну обробку результатів та встановлення теоретичних закономірностей експериментальних результатів. Автори роботи Авраменко Катерина Андріївна Коломис Олександр Федорович Ніколенко Андрій Сергійович Насєка Юрій Миколайович Романюк Артем Сергійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити