Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U005700, 0112U005316 , Науково-дослідна робота Назва роботи Сенсори для детектування токсичних молекул Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 25-12-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Методами фотолюмінесценції (ФЛ), комбінаційного розсіювання світла (КРС) досліджено сенсорні структури InAs/Al(Ga)As/GaAs з InAs квантовими точками (КТ), вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії. Виявлено ефективне резонансне перенесення екситонів за механізмом Ферстера від InAs/Al(Ga)As KT до молекул ціанінових барвників. Взаємодія молекул ціанінового барвника з хлороформом зменшує ефективність безвипромінювального резонансного перенесення енергії. Виявлено ефект зміни люмінесцентних властивостей InAs КТ при наближені до них молекул ціанінових барвників. Продемонстровано можливість використання цього ефекту для створення сенсорів молекул різних хімічних речовин. Отримано і проаналізовані температурно-залежні спектри фотолюмінесценції від різних шарів для сенсорних двохшарових InAs/Al(Ga)As/GaAs структур. Встановлено, що зменшення товщини бар'єрного шару між прямозонними і непрямозонними InAs КТ призводить до низькоенергетичного зсуву смуги ФЛ прямозонних (непрямозонних) InAs КТ на 20 (80) меВ. Враховано зміну енергетичного положення максимуму смуги ФЛ від їх компонентного складу та квантово-розмірного ефекту. Виявлено різний характер зсуву прямої і непрямої енергетичних зон InAs/Al(Ga)As/GaAs в залежності від температури. Встановлено, що значне збільшення інтенсивності смуги ФЛ прямозонних InAs КТ обумовлене зростанням ефективності резонансного тунелювання екситонів при зменшені товщини бар'єрного розділяючого шару. За допомогою конфокальної мікроспектроскопії комбінаційного розсіяння світла проведено неруйнівний аналіз структури епітаксіальних шарів гетероструктури при скануванні вздовж напрямку росту структури із субмікронною роздільною здатністю. Отримано профілі розподілу інтенсивності і частоти резонансних фононних смуг різних шарів подвійної InAs/Al(Ga)As/GaAs гетероструктури. Встановлено, що для двохперіодних A3B5 гетероструктур з InAs КТ має місце значне компонентне інтерзмішування внаслідок процесів інтердифузії атомів на гетерограниці в полі неоднорідного анізотропного розподілу пружних деформацій в шарах. Опис продукції Одним із перспективних методів детектування токсичних речовин є метод, що ґрунтується на використанні квантово-точкових (КТ) систем. Основною ідеєю детектора такого типу є зміна люмінесцентних властивостей КТ при наближенні до них токсичних молекул, що дозволяє ідентифікувати останні по зміні люмінесцентних характеристик системи КТ. Фізичною основою такої ідеї є перенос заряду (Декстеровський механізм) або енергії (Форстерівський або флюоресцентне резонансне перенесення енергії) від КТ до близькорозташованих молекул. Автори роботи Авраменко Катерина Андріївна Коломис Олександр Федорович Ніколенко Андрій Сергійович Романюк Артем Сергійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити