Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U005718, 0112U002845 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот Назва етапу роботи Керівник роботи Пузіков Вячеслав Михайлович, Дата реєстрації 26-12-2012 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу Досліджено фотовольтаїчний ефект в ізотопній гетероструктурі, яка утворена плівками нанокристалічного 21R-SiC, осадженими на монокристалічні підкладинки з n-Si (гетероперехід n-SiC/n-Si). Запропоновано кінетичну модель вольтамперних та фотоелектричних характеристик гетероструктури n-SiC/nSi. Досліджено параметри ВАХ мезоструктур кремнієвих високовольтних НВЧ p-i-n діодів з захистом бічної поверхні мезоструктури шаром високоомного карбіду кремнію в умовах експлуатації при підвищеній температурі 120гр.С на протязі120 годин Опис продукції Досліджено фотовольтаїчний ефект в ізотопній гетероструктурі, яка утворена плівками нанокристалічного 21R-SiC, осадженими на монокристалічні підкладки з n-Si (гетероперехід nSiC/n-Si). Запропановано кінетичну модель вольтамперних та фотоелектричних характеристик гетероструктури n-SiC/n-Si. Досліджено параметри ВАХ мезаструктур кремнієвих високовольтних НВЧ p-i-n діодів з захистом бічної поверхні мезаструктури шаром високоомного карбіду кремнію при t. 120гр.С 120 годин. Автори роботи Лопін Олександр Володимирович Семенов Олександр Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити