Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U005790, 0112U001947 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення нанотехнологій синтезу наночастинок ZnO та CdS для виготовлення світловипромінюючих елементів на основі структур макропористого кремнію з нанопокриттями", етап 3 "Виготовлення та дослідження структур макропористого кремнію з наночастинками ZnO та CdS, інкорпорованими в шар мікропористого кремнію" Назва етапу роботи Керівник роботи Карачевцева Людмила Анатоліївна, Дата реєстрації 28-12-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Науково-технічна ідея Етапу 3 полягає у тому, що для виготовлення ефективних світловипромінюючих елементів на основі структур макропористого кремнію з нанопокриттями запропоноване окислення двовимірних структур макропористого кремнію перед нанесенням наночастинок ZnO та CdS на поверхню макропор. Виходячи з цього, важливою задачею етапу є відпрацювання технологічних операцій зниження концентрації центрів безвипромінювальної рекомбінації та вимірювання параметрів фотолюмінесценції в залежності від товщини нанопокриття. У відповідності з основною метою етапу: (1) досліджені структури макропористого кремнію з шаром мікропористого кремнію та оксиду кремнію товщиною 7нм, 15 нм та 30 нм на поверхні макропор та наночастинками ZnO та CdS; проведено порівняльний аналіз структур на основі вимірювань спектрів ІЧ поглинання та визначена напруженість електричного поля на границі "макропористий кремній - нанопокриття"; (2) проведена очистка поверхні структур шляхом її окислення у атмосфері сухого кисню до товщини оксиду 30 нм та стравлення оксиду; (3) встановлено, що напруженість електричного поля на границі Si-SiO2 для очищених структур макропористого кремнію зростає майже на порядок величини у порівнянні з неочищеними структурами; (4) вольт-ватна чутливість структур макропористого кремнію з товщиною оксидного покриття 15 нм перевищує чутливість структур макропористого кремнію без оксидного покриття та монокристалічного кремнію більш ніж у 5 разів; (5) фотопровідність окислених структур макропористого кремнію залежить від товщини SiO2 нанопокриття і визначається накопиченням позитивного заряду в шарі SiO2; (6) виявлені квантово-розмірні ефекти при переході від кремнієвої матриці до нанокластерів Si в матриці SiOX; (7) встановлено, що інтенсивність фотолюмінесценції наночастинок CdS-поліетиленіміну на поверхні окислених структур макропористого кремнію визначається процесами на границі Si-SiO2-нанопокриття CdS: напруженістю електричного поля на границі Si-SiO2 та накопиченням позитивного заряду в шарі оксиду кремнію. Опис продукції У ході виконання роботи відпрацьовані технологічні операції зниження концентрації центрів безвипромінювальної рекомбінації та виміряні параметри фотолюмінесценції в залежності від товщини нанопокриття: (1) проведено порівняльний аналіз структур макропористого кремнію з шаром мікропористого кремнію та оксиду кремнію товщиною 7нм, 15 нм та 30 нм на поверхні макропор та наночастинками ZnO та CdS на основі вимірювань спектрів ІЧ поглинання та визначена напруженість електричного поля на границі "макропористий кремній - нанопокриття"; (2) встановлено, що фотопровідність окислених структур макропористого кремнію залежить від товщини SiO2 нанопокриття і визначається накопиченням позитивного заряду в шарі SiO2; (3) інтенсивність фотолюмінесценції наночастинок CdS-поліетиленіміну на поверхні окислених структур макропористого кремнію визначається процесами на границі Si-SiO2-нанопокриття CdS - напруженістю електричного поля на границі Si-SiO2 та накопиченням позитивного заряду в шарі оксиду кремнію. Автори роботи Карачевцева Людмила Анатоліївна Кучмій Степан Ярославович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити