Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U005895, 0112U003506 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Міжшарові взаємодії в магнітних наноструктурах з товщинами співрозмірними з їх характеристичними параметрами"- третій рік виконання проекту. Назва етапу роботи Керівник роботи Погорілий А.М., Дата реєстрації 02-01-2013 Організація виконавець Інститут магнетизму НАН та МОН України Опис етапу Запропоновано і досліджено новий тип обмінної взаємодії між феромагнітними шарами F через прошарок розбавленого феромагнітного сплаву f (Ni-Cu сплав різного складу і різної товщини) в тришарових F/f/F структурах. Продемонстрована можливість температурно керованого обміну в таких структурах шляхом їх переходу через точку Кюрі f прошарку. В результаті, обмінна взаємодія між F шарами може вмикатись або вимикатись, чи змінюватись безперервно за величиною шляхом контролю температури матеріалу. Запропоновано градієнтний f*/f/f* прошарок з нижчою концентрацією Ni на інтерфейсі F/f*, що значно покращує однорідність ефективного обміну і значно поліпшує чіткість термомагнітного перемикання в структурі завдяки значно вужчому Кюрі переходу. Досліджені багатошарові F/f/F і F/f*/f/f*/F структури можуть стати основою для нових магнітних пристроїв на основі спін-термо-електронної комутації, таких як датчики, генератори і елементи пам'яті. Опис продукції Запропоновано і досліджено новий тип обмінної взаємодії між феромагнітними шарами F через прошарок розбавленого феромагнітного сплаву f (Ni-Cu сплав різного складу і різної товщини) в тришарових F/f/F структурах. Продемонстрована можливість температурно керованого обміну в таких структурах шляхом їх переходу через точку Кюрі f прошарку. В результаті, обмінна взаємодія між F шарами може вмикатись або вимикатись, чи змінюватись безперервно за величиною шляхом контролю температури матеріалу. Запропоновано градієнтний f*/f/f* прошарок з нижчою концентрацією Ni на інтерфейсі F/f*, що значно покращує однорідність ефективного обміну і значно поліпшує чіткість термомагнітного перемикання в структурі завдяки значно вужчому Кюрі переходу. Досліджені багатошарові F/f/F і F/f*/f/f*/F структури можуть стати основою для нових магнітних пристроїв на основі спін-термо-електронної комутації, таких як датчики, генератори і елементи пам'яті. Автори роботи Бондарькова Г.В. Калькута С.А. Кравець А.Ф. Погорілий А.М. Яблоновський С.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити