Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U006258, 0108U009663 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення технології одержання шарів SiGe та Si методом піролітичного осадження при низькому тиску (LP CVD) для створення надвисокочастотних структур та інтегральних схем на основі кремнію." Назва етапу роботи Керівник роботи Сидоренко Володимир Павлович, Дата реєстрації 12-03-2012 Організація виконавець Державне підприємство "Науково-дослідний інститут мікроприладів" НТК "Інститут монокристалів" НАН України Опис етапу Розроблена технологічна карта процесу епітаксійного росту шарів SiGe та Si методом піролітичного осадження (LP CVD) на установці "Изотрон-2М" і експериментально досліджені шарі полікремнію Si Poly. Досліджені перспективні технології виготовлення НВЧ ІМС: а) технології на основі гетеропереходних біполярних n-p-n транзисторів (SiGe ГБТ) рівнів 0,5/0,25/0,13 мкм з граничними частотами до 300 ГГц, б) РЧ КМОН рівнів 65/45/32 нм з граничною частотою транзисторів до 445 ГГц, в) нітрид-галієві AlGaN/GaN, AlInN/GaN HEMT на підкладках SiC, Si, алмаз. Опис продукції Технологічна карта містить послідовність технологічних операцій виготовлення епітаксіальних плівок SiGe та Si на установці "Изотрон-2М" з визначенням критеріїв епітаксіального росту плівок. Звіт про дослідження перспективних технологій містить опіс технічних характеристик технологій SiGe HBT, РЧ КМОНТ, GaN HEMT провідних фабрик кристалів, які надають фаундрі послугі. Автори роботи Евтух Анатолій Антонович Попов Валентин Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити