Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U006282, 0107U002258 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення і характеризації напівпровідникових матеріалів і функціональних структур сучасної електроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Володимир Федорович Мачулін, Дата реєстрації 13-03-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Наукова робота проводилась по трьом взаємопов'язаним напрямам: - розробка технологічних методів створення нових функціональних матеріалів і структур для сучасної електроніки, оптоелектроніки, інформаційної техніки і сенсорики; - розробка новітніх експериментальних методів діагностики напівпровідникових матеріалів і структур з надвисокою просторовою роздільною здатністю (що необхідно при роботі з низьковимірними системами, багатошаровими гетероструктурами, тонкоплівковими матеріалами, тощо) і дослідження їх фізичних властивостей, пов'язаних з різними типами електронних і фононних збуджень; - формування фізичних принципів для приладів нового покоління. По першому напряму отримані такі результати: - Модернізовано технологію вирощування багатошарових гетероструктур на основі широкозонних сполук А2В6. - Розроблено процес осадження плівок SiOx з метою отримання нанокристалічних включень в результаті самоорганізації та структурних претворень в ході високотемпературних відпалів. - Розроблено низькотемпературний метод пасивації поверхні германію оксидною плівкою з наночастинками германію. - Розроблено фізичну модель гетероепітаксійного росту тонких шарів GaN методом радикало - променевої епітаксії. - Розроблено елементи технологічних операцій формування багатоелементних матриць фотоприймачів за допомогою тонкоплівкової технології на основі HgCdTe. - Розроблені високороздільні фоторезисти на основі плівок халькогенідних стекол, а також методи виготовлення високочастотних рельєфно-фазових структур. - Розроблено методику отримання діодних структур GaP n+-n-p+-типу методом РФЕ для широкого спектра застосувань у високотемпературних мікро- та оптоелектроніці, термометрії. - Розроблено технологію отримання біоморфного SіС для застосувань в якості імплантатів в медичній практиці. - Розроблено технологію виготовлення термо- і радіаційно-стійких контактних систем до приладів НВЧ-електроніки. - Розроблено фізичні моделі процесу хімічної формозміни поверхні, запропоновано оригінальні методики та оптимізовано режими для хімічної різки, селективного травлення, хімічного полірування. - Розроблено технологію виготовлення люмінесцентних матеріалів і структур, придатних для створення сучасних світловипромінюючих приладів, на основі сполук А2В6. - Розроблено методику керування селективністю поверхні ППР сенсору з використанням самоорганізованої матричної системи золото/меркаптани різної довжини. - Розроблено технологію створення наноструктурованої поверхні, що орієнтує рідкі кристали для створення бістабільних РК-дисплеїв. - Розроблено технологію отримання шарів AlN для структур сучасної електроніки, оптоелектроніки та сенсорики. - Розроблено технологію формування при поверхневих наноструктур у кристалах та плівках А3В5 та А2В6 імпульсним лазерним опроміненням з метою отримання функціональних напівпровідникових наноструктур. - Розроблено і запатентовано нову технологію очищення металічного германію. По другому напряму розвинуті надчутливі оптичні методи аналізу речовин, методи адмітансної спектроскопії, акусто-емісійного контролю перетворення структури напівпровідникових матеріалів. Розроблено оптичний модуляційно-поляризаційний метод характеризації композитних наноструктурованих метало-діелектричних плівок. По третьому напряму: - Розвинута теорія стаціонарного та надвисокочастотного електронного транспорту в нанорозмірних діодах з балістичним характером руху носіїв. Теорія враховує ефекти просторового заряду, статистичний характер інжекції носіїв в базу приладу, електричні втрати в контактах, та інше. В результаті отримані реалістичні оцінки статичних та надвисокочастотних ефектів. - Розроблена та виготовлена експериментальна партія кремнієвих діодних сенсорів температури, які можна охарактеризувати п'ятьма зонами толерантності. Розкид характеристик датчиків в межах зони складає від 0,25 К до 3,0 К. - Розроблена оригінальна технологія виготовлення дифракційних граток з так званим антикорельованим рельєфом, що дозволило виготовити ряд приладів поляритонної оптоелектроніки. - Вирішено задачу підвищення чутливості спектрометрів ЕПР завдяки розробці і використанню нових діелектричних резонаторів з високою діелектричною проникністю. Опис продукції Робота присвячена розробці фізико-технологічних принципів отримання високоякісних багатошарових гетероструктур (ГС) в системі широкозонних сполук А2В6 за допомогою відносно простої технології термічного напилення, а також комплексним дослідженням властивостей ГС та створенню сенсорів УФ випромінювання. Автори роботи Cвєчников С.В. Індутний І.З. Валах М.Я. Власенко О.І. Дмитрук М.Л. Карачевцева Л.А. Кисельов В.С. Кладько В.М. Конакова Р.В. Корбутяк Д.В. Кочелап В.О. Лисенко В.С. Литовченко В.Г. Прокопенко І.В. Сизов Ф.Ф. Снопок Б.А. Тетьоркін В.В. Томашик В.М. Шварц Ю.М. Шутов С.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити