Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U006377, 0110U006230 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження оптичних властивостей та тунельних процесів носіїв заряду (екситонів) в двофазних напівпровідникових наносистемах типу "ядро@оболонка" C1@C2 (С1 = SiO2, C2 = ZnO, CdS, ZnSe, ZnS та ін.), що є перспективними блоками для матеріалів нанофізики та електроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Бродин Михайло Семенович, Дата реєстрації 23-03-2012 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Об'єкти дослідження - гетерочастинки типу "ядро - оболонка" з ядром сферичних частинок SiO2 діаметром 300 нм, оболонкою з квантових точок (КТ) селеніду кадмію (CdS), плівки з різною концентрацією останніх на основі розроблених гетерочастинок на кварцових підкладках із заданою концентрацією КТ. Мета роботи - розробка методу синтезу гетерочастинок "ядро SiO2 - оболонка CdS" та створення щільно-пакованих плівок на їх основі на кварцових підкладках. Дослідження складу, структури та морфології отриманих матеріалів. В ході роботі проведена адаптація методу темплатного синтезу для отримання гетерочастинок "ядро-оболонка" з діаметром ядра 300 нм та оболонкою із ізольованих КТ CdS діаметром 3 нм та різною щільністю покриття поверхні ядра (20 або 50%). Даний метод є універсальним та дозволяє формувати оболонку з II-VI нанокристалів інших складів. Визначено, що попередня стабілізація КТ CdS макромолекулами поліакрилової кислоти запобігає агломерації ізольованих КТ CdS при адсорбції на поверхню SiO2 та забезпечує формування моношару КТ CdS на модифікованій поверхні сфер SiO2. Було досліджено механізм адсорбції напівпровідникових КТ CdS на поверхню сферичних частинок діоксиду кремнію. Розроблено метод поетапного формування оболонки, що забезпечує рівномірний розподіл нанокристалів напівпровідників по поверхні ядра. Показано, що для контрольованого рівномірного заповнення поверхні ядра, процес адсорбції необхідне вести при низьких концентраціях КТ CdS в розчині (3·10-2 г/дм3). Було розраховано, що при кожному етапі нарощування оболонки на поверхню однієї частинки діоксиду кремнію, адсорбується в середньому 5·102 нанокристалів. Методом пульверизації суспензії на підігріту підкладку були отримані плівки з щільнопакованих гетерочастинок SiO2/CdS товщиною 5-7 мкм. Встановлено оптимальні концентрації сполучного агента - поліакрілової кислоти для отримання плівок високої якості. Опис продукції Зразки, отримані та досліджені під час другого етапу являли собою високоякісні плівки чистих гетерочастинок "ядроSiO2 - оболонка CdS" або суміші сфер діоксиду кремнію та гетеронаночастинок з квантовими точками CdS різної щільності та концентрації суміші. Дослідження таких структур проводилось з метою виявлення умов утворення фазових перколяційних переходів екситонів при різних концентраціях активної компоненти. Автори роботи Єрмолаєва Юлія Володимирівна Бондар Микола Володимирович Бродин Михайло Семенович Матвєєвська Неоніла Анатолієвна Толмачов Олександр Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити