Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U006708, 0107U008578 , Науково-дослідна робота Назва роботи механізм утворення та фотоелектричні властивості епітаксійних гетеросистем з локалізованими станами в квантових точках Ge Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Дата реєстрації 18-06-2012 Організація виконавець Інститут хімії поверхні НАНУ Опис етапу Досліджено морфологію та механізми формування, а також структурні характеристик епітаксійних гетеросистем з вертикально інтегрованими квантовими точками Ge на Si. Визначено вплив матриці на структурні характеристики, мольний склад та рівень пружних деформацій структур з квантовими точками, що формуються. За величинами розривів зон напруженого гетеропереходу Si/Ge, які визначалися по спектрах повздовжньої фотопровідності багатошарових гетероструктур з SiGe при нормальному падінні та боковому освітленні, встановлено чисельний взаємозв'язок між структурними та фотоелектричними характеристиками досліджуваних структур: між значеннями пружних деформацій ?xx та ?zz та середнім вмістом Ge в наноострівцях. Виявлено вплив матриці SiO2 на динаміку процесів, що відбуваються на поверхні, при епітаксії кремнію. Вперше було одержано самоорганізовані нанокластери Si з ознаками монокристалічності на наноплівці первісно аморфного SiO2 методом молекулярно-променевої епітаксії. Опис продукції Вперше одержано методом молекулярно-променевої епітаксії гетероструктури Si/Ge з квантовими точками Ge викликають останнім часом неабиякий інтерес завдяки своїм унікальним електронним та оптичним властивостям, які виникають в наслідок квантових ефектів, що спостерігаються, якщо розмір об'єктів стає порівнянним з довжиною хвилі де Бройля електронів провідності. У квантових точках реалізується граничний випадок розмірного квантування, коли носії заряду обмежені у просторі в усіх трьох вимірах і зонна структура матеріалу, а також його електронні та оптичні властивості, суттєво модифікуються внаслідок розмірних ефектів. Крім того, пружні деформації, що є наслідком невідповідності сталих ґратки між Si та Ge, корінним чином змінюють класичну зонну структуру гетеропереходу, призводячи до появи додаткових локалізованих енергетичних рівнів у напруженому гетеропереході самої квантової точки. Нанокластери Si виявляють ознаки монокристалічності,, а полікристалічні або аморфні нанокластери германію мають напівсферич Автори роботи Дмитрук Н.В. Канєвський В.І. Козирев Ю.М. Рубежанська М.Ю. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити