Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U006878, 0111U009717 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні дослідження структури та фізичних властивостей надпровідникових, магнітних і напівпровідних матеріалів, що перспективні для створення нових приладів та систем атомної енергетики, зокрема для транспортування, перетворення та накопичування енергії АЕС України Назва етапу роботи Керівник роботи Лавриненко Сергій Дмитрович, Фінкель Володимир Олександрович, Кутній Володимир Євдокимович, Дата реєстрації 16-08-2012 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу У 2012 р. відповідно до тематичного плану із Відомчого завдання НАН України на проведення наукових досліджень з атомної науки й техніки ННЦ ХФТІ (тема III-1-11 (ІФТТМТ) "Фундаментальні дослідження структури та фізичних властивостей надпровідникових, магнітних і напівпровідних матеріалів, що перспективні для створення нових приладів та систем атомної енергетики, зокрема для транспортування, перетворення та накопичування енергії АЕС України" проведено дослідження за наступним етапом: Етап 3. Дослідження властивостей переносу заряду в детекторах гамма-випромінювання з широкозонних напівпровідників під впливом довготривалого опромінення та вивчення впливу зміни транспортних властивостей носіїв заряду на спектрометричні та дозиметричні характеристики детекторів. Одержані наступні основні наукові результати: 1. Проведені експериментальні дослідження по вивченню впливу захоплення нерівноважного заряду на відгук CdZnTe детекторів. Встановлено, що середній внесок флуктуацій втрат заряду в повну ширину на напіввисоті для CdZnTe (CdTe) детекторів в області енергій E > 60 кеВ прямо пропорційний величині середнього створюваного заряду, тобто задовільну точність відновлення функцій відгуку забезпечує припущення, що trap ~ (G)0,5?Ei/ , де G - фактор захвату, Ei - енергія гамма-кванту, яка була поглинена детектором, - середня енергія утворення пари електрон-дірка. В той же час встановлено, що більш точним виразом для trap є . Достатньо великий розкид відхилення отриманих значень показника ступеню від 2 вказує на те, що більш точні результати моделювання функцій відгуку можна отримати, вводячи в модель додаткові параметри, які характеризують нерівномірність розподілення дефектів по об'єму CdZnTe детектора. Це також вказує на те, що навіть в CdZnTe детекторах дозиметричної якості, що досліджувалися під час виконання даної роботи, вплив розподілення дефектів по об'єму детектора не вдається усереднювати на основі загальноприйнятих підходів, що використовуються при моделюванні детекторів із Si та Ge. 2. Наявність фотопіків відносно низької енергії (< 150 кеВ) не є достатньою умовою придатності CdZnTe детекторів для спектрометрії в діапазоні енергій, де переважає комптонівська взаємодія гамма-квантів з матеріалом детектора. 3. Моделювання показує, що планарний CdZnTe детектор може забезпечити задовільну величину розподільчої здатності (порядку одиниць процентів) на лінії 661,67 кеВ за умови якщо ( )e/( )h < 20. Якщо ж ( )e/( )h > 60, то фотопік 661,67 кеВ (137Cs) не вдасться спостерігати навіть при дуже низьких рівнях шумів електроніки. Ці критерії встановлюють вимоги якості для матеріалу, що вирощується, (в даному випадку CdZnTe). Їх також можна використовувати при відборі детекторів, що придатні для спектрометрії гамма-квантів високих енергій. В менш жорсткій формі цей критерій справедливий також для гамма-квантів з енергією в діапазоні 100…300 кеВ. Це означає, що при ( )e/( )h > 60 фотопік ще не повністю деградує, проте CdZnTe (CdTe) детектори вже не рекомендується використовувати для спектрометричних досліджень. 4. За допомогою запропонованого критерію якості отримано пояснення експериментальних даних, які були отримані в різний час для CdZnTe детекторів. Стор. - 29, Рис. - 23, Табл. - 4, Літ. джерел. - 22. Опис продукції Зарядовий стан радіаційних дефектів, що утворюються в CdTe і CdZnTe детекторах може суттєво відрізнятися при опроміненні одним типом частинок. В CdZnTe детекторах при опроміненні електронами спостерігається часткова компенсація пасток, які можуть захоплювати нерівноважні дірки. В CdTe детекторах це явище компенсації не зареєстровано. Автори роботи Аржавітін В.М. Богдан Є.О. Вєрьовкін А.А. Дерев'янко В.В. Мухин В.В. Наконечний Д.В. Піроженко Л.О. Рибка Олександр Вікторович Серих Л.М. Соколов С.О. Сунеуров М.С. Сухарева Т.В. Тихоновська Т.М. Чечина М.В. Шахов Ю.Н. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити