Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U007059, 0111U007115 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження електронних, змішаних плазмон-фононних збуджень та структурних особливостей в нітридних наноструктурах при нерівноважних умовах Назва етапу роботи Керівник роботи Наумов А.В., Дата реєстрації 25-04-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження: нітридні діодні структури на основі n+-n0-n+-GaN. Мета роботи: дослідження фізичних механізмів електронного транспорту в нітридних гетероструктурах за допомогою скануючої конфокальної спектроскопії комбінаційного розсіяння світла. Досліджено локальний просторовий розподіл структурних, оптичних і електронних властивостей GaN діодних структур, вирощених на сапфіровій (0001)-підкладці. Вперше досліджено основні закономірності розподілу деформацій, структурної досконалості і концентрації вільних носіїв заряду вздовж напрямку росту GaN діодних структур із субмікронною роздільною здатністю. За результатами 1 етапу опубліковано 2 статті у провідних наукових журналах (Journal of Applied Physics, Physica Status Solidi (C)), та зроблено доповідь на міжнародній конференції 22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides "Diamond 2011", Garmisch-Partenkirchen (Germany) Опис продукції Розроблено експериментальний метод скануючої мікро-КРС спектроскопії для аналізу фононних і фононно-плазмових спектрів, отриманих при скануванні по глибині GaN діодної структури з кроком 0,1 мкм. Вивчено і проаналізовано субмікронний розподіл по глибині діодної структури параметрів неполярної фононної смуги в залежності від товщини прольотної частини n0-GaN (d = 0,5-2 мкм); отримано взаємозв'язок між неоднорідностями кристалічної структури та електронними властивостями GaN діодів. Вперше експериментально із субмікронною просторовою роздільною здатністю по глибині гетероструктури зареєстровано непружне розсіювання на неекранованих поздовжніх оптичних фононах у всьому об'ємі матеріалу. Запропоновано нове якісне фізичне пояснення цього ефекту. Автори роботи Авраменко К.А. Коломис О.Ф. Сафрюк Н.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити