Реєстраційний номер
0212U007059,
0111U007115
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Дослідження електронних, змішаних плазмон-фононних збуджень та структурних особливостей в нітридних наноструктурах при нерівноважних умовах
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Наумов А.В.,
Дата реєстрації
25-04-2012
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Об'єкт дослідження: нітридні діодні структури на основі n+-n0-n+-GaN. Мета роботи: дослідження фізичних механізмів електронного транспорту в нітридних гетероструктурах за допомогою скануючої конфокальної спектроскопії комбінаційного розсіяння світла. Досліджено локальний просторовий розподіл структурних, оптичних і електронних властивостей GaN діодних структур, вирощених на сапфіровій (0001)-підкладці. Вперше досліджено основні закономірності розподілу деформацій, структурної досконалості і концентрації вільних носіїв заряду вздовж напрямку росту GaN діодних структур із субмікронною роздільною здатністю. За результатами 1 етапу опубліковано 2 статті у провідних наукових журналах (Journal of Applied Physics, Physica Status Solidi (C)), та зроблено доповідь на міжнародній конференції 22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides "Diamond 2011", Garmisch-Partenkirchen (Germany)
Опис продукції
Розроблено експериментальний метод скануючої мікро-КРС спектроскопії для аналізу фононних і фононно-плазмових спектрів, отриманих при скануванні по глибині GaN діодної структури з кроком 0,1 мкм. Вивчено і проаналізовано субмікронний розподіл по глибині діодної структури параметрів неполярної фононної смуги в залежності від товщини прольотної частини n0-GaN (d = 0,5-2 мкм); отримано взаємозв'язок між неоднорідностями кристалічної структури та електронними властивостями GaN діодів. Вперше експериментально із субмікронною просторовою роздільною здатністю по глибині гетероструктури зареєстровано непружне розсіювання на неекранованих поздовжніх оптичних фононах у всьому об'ємі матеріалу. Запропоновано нове якісне фізичне пояснення цього ефекту.
Автори роботи
Авраменко К.А.
Коломис О.Ф.
Сафрюк Н.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
