Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U007237, 0112U003488 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ефекти підсилення комбінаційного розсіювання й випромінювання світла в напівпровідникових наноструктурах Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 18-10-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу На даному етапі проекту розроблено структури з впорядкованими масивами наноострівців золота, необхідними для дослідження правил відбору та ролі резонансних умов збудження для гігантського КРС на оптичних фононах у напівпровідникових нанокристалах. Вимірювання спектрів відбивання та пропускання таких наноструктур дозволили встановити залежності частоти максимуму плазмонного поглинання від середніх розмірів наноострівців. Таким чином було встановлено оптимальні параметри таких структур для реалізації резонансних умов збудження осаджених на них напівпровідникових нанокристалів. Детально досліджено спектри резонансного КРС колоїдних нанокристалів сульфіду, селеніду та телуриду кадмію, що використовуються в даному проекті як об'єкти для дослідження ефекту підсилення КРС на фононах за допомогою плазмонного резонансу. Опис продукції Використання унікального фізичного механізму SERS, що полягає у гігантському підсиленні характеристичного для кожної речовини непружного розсіяння світла поблизу наноструктурованої поверхні благородних металів (золота та срібла) за рахунок впливу електричного поля плазмонних збуджень у металевій наноструктурі, для реєстрації надмалої кількості речовини зумовлена Для реалізації цієї ідеї потрібно розвинути методику реалізації SERS за допомогою не випадкових, а контрольованих поверхнево-плазмонно-активних наноструктур. Автори роботи Джаган Володимир Миколайович Юхимчук Володимир Олександрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Валах Михайло Якович. Ефекти підсилення комбінаційного розсіювання й випромінювання світла в напівпровідникових наноструктурах. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0212U007237
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14