Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U007288, 0110U006027 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження плазмон-фононнних коливань в напівпровідникових наноструктурах в умовах сильних електричних струмів Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 02-11-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В роботі отримані та досліджені дисперсійні рівняння, що описують узгоджені колективні коливання електронів та оптичних фононів. Колективна взаємодія носіїв заряду з оптичними коливаннями кристалічної ґратки, приводить до перебудови дисперсійних кривих в області залишкового випромінювання і залежить від мірності системи. Показано, що існує сильна залежність параметрів вирощених гетеросистем Al0.30Ga0.70N/GaN від початкового деформаційного стану системи темплейт/буфер (тобто типу темплейту). Деформаційні поля значно впливають на швидкість росту та релаксаційні механізми послідуючих шарів GaN та AlN протягом росту. Структурна досконалість надгратки також сильно залежить від початкового деформаційного стану системи темплейт/буфер. Ці результати можна використовувати для розробки якісних приладів. Опис продукції В нанорозмірних приладах використовують такі концентрації носіїв струму, для яких частоти плазмонних коливань є близькими до частот полярних фононів. Між вказаними типами збуджень існує сильна взаємодія, що призводить до утворення спільних плазмон-фононних коливань. В той же час в умовах роботи приладів наноелектроніки та нанофотоніки електронна підсистема, типово, є суттєво нерівноважною. Нерівноважність електронної підсистеми проводить до зміни характеру спільних плазмонних та фононних коливань: перенормування частот та появу їх додаткового затухання, чи підсилення, та інших явищ, які принципово відсутні в об'ємних матеріалах та рівноважних умовах. З'ясування впливу електричного поля та струму на електронну та фононну підсистеми, що взаємодіють, є нагальною та важливою задачею. Автори роботи Індутний І.З. Валах М.Я. Венгер Є.Ф. Кладько В.П. Конакова Р.В. Кочелап В.О. Стрельчук В.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Бєляєв Олександр Євгенович. Дослідження плазмон-фононнних коливань в напівпровідникових наноструктурах в умовах сильних електричних струмів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0212U007288
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14