Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U007289, 0110U006027 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження плазмон-фононнних коливань в напівпровідникових наноструктурах в умовах сильних електричних струмів Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 02-11-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведені дослідження плазмон-фононнних коливань в полярних напівпровідникових наноструктурах за суттєво нерівноважних умов, зокрема, при сильних електричних полях та струмах, вивчені нові надвисокочастотні електричні та оптичні ефекти, що обумовлені електрон-фононною взаємодією в наноструктурах та залежать від прикладених електричних полів та струмів. Для коротких напівпровідникових структур, зокрема n+-i-n+ діодів, досліджувались фундаментальні властивості електронів та полярних фононів, вивчалась їх взаємодія в умовах далеких від рівноваги, здійснювався пошук нових надвисокочастотних електричних та оптичних ефектів, які обумовлені електрон-фононною взаємодією. Були проаналізовані n+-i-n+ діоди з балістичним та дифузійним характером руху носіїв. Розглянуті також так звані гібридні системи, що складаються з наночастинки та напівпровідникової гетероструктури з квантовою ямою. Обґрунтована та сформульована модель гібридної системи. Отримані точні розв'язки рівнянь. Практичний інтерес до нових явищ в гібридних системах може полягати в можливості збудження випромінювання наночасток струмом та електричної генерації ТГц випромінювання. Також ці явища можуть бути використані для контрольованої полем адресації до індивідуальних наночасток, що є ключовою проблемою для реалізації квантових обчислень. Опис продукції Проведені дослідження плазмон-фононнних коливань в полярних напівпровідникових наноструктурах за суттєво нерівноважних умов, зокрема, при сильних електричних полях та струмах, вивченні нові надвисокочастотні електричні та оптичні ефекти, що обумовлені електрон-фононною взаємодією в наноструктурах та залежать від прикладених електричних полів та струмів. Для коротких напівпровідникових структур, зокрема n+-i-n+ діодів досліджувались фундаментальні властивості електронів та полярних фононів, вивчалась їх взаємодія в умовах далеких від рівноваги, здійснювався пошук нових надвисокочастотних електричних та оптичних ефектів, які обумовлені електрон-фононною взаємодією. Були проаналізовані n+-i-n+ діоди з балістичним та дифузійним характером руху носіїв. Розглянуті також так звані гібридні системи, що складаються з наночастинки та напівпровідникової гетероструктури з квантовою ямою. Обґрунтована та сформульована модель гібридної системи. Отримані точні розв'язки рівнянь. Автори роботи Кладько В.П. Кочелап В.О. Стрельчук В.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити