Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U007377, 0112U004338 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізичних основ створення приймачів терагерцового випромінювання на основі плазмонних транзисторів Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 24-12-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В роботі було з'ясовано, що значення внутрішнього опору каналу транзистору та зовнішньої навантажувальної ємності визначає максимально можливу частоту модуляції випромінювання і швидкодію приладу. Для збільшення швидкодії приймача випромінювання необхідно зменшити значення ємності та внутрішнього опору. Найбільш оптимальною схемою включення плазмонного транзистору - приймача випромінювання є схема неінвертуючого операційного підсилювача. Динамічний діапазон підсиленого сигналу приймача випромінювання залежить від внутрішнього опору транзистору, а також, привнесених шумів та полоси пропускання підсилювача. Опис продукції Проект спрямований на вирішення фундаментальної наукової проблеми, пов'язаної з вивченням властивостей плазмонних коливань у напівпровідникових мікро- та наноструктурах з метою розробки теоретичних основ нових класів мініатюрних пристроїв для детектування і генерації ТГц випромінювання, створення неохолоджуваних приймачів ТГц випрмінювання. Автори роботи Сизов Федір Федорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити