Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U007438, 0112U005072 , Науково-дослідна робота Назва роботи Лазерно-індуковані наносекундними імпульсами процеси масопереносу та формування інверсійних і варізонних шарів в твердих розчинах на основі телуриду кадмію Назва етапу роботи Керівник роботи Власенко Олександр Іванович, Дата реєстрації 26-12-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу На сьогодні явище високої рухливості атомів у кристалах при імпульсному лазерному опроміненні (ІЛО) має велике прикладне значення для твердофазного легування CdTe та CdZnTe шляхом опромінення імпульсами лазера структури метал/CdTe (CdZnTe), наприклад, для детекторів рентгенівського та гамма- випромінювання з високими спектрометричними характеристиками. Проаналізовано та розраховано такі механізми масопереносу при ІЛО як термо- баро- та концентраційна дифузія, еволюція лазерноіндкованої ударної хвилі, дифузія при плавленні. Встановлено, що домінуючим механізмом масопереносу при наносекундному лазерному твердофазному легуванні CdTe індієм є бародифузія. Тому доцільним є забезпечення різких градієнтів тиску, а не значних величин тиску та температури. Отримано концентраційний профіль розподілу атомів індію, кадмію та телуру у CdTe після однократного опромінення структури Іn/CdTe з боку плівки індію товщиною 30 нм імпульсом ексимерного лазера (? = 248 нм, імп = 20 нс) при Епад = 100 мДж/см2. Виявлено, максимум розподілу індію при 6 нм відповідає мінімуму розподілу кадмію, що вказую на дифузію міжвузлових атомів In по вакансіям Cd. За різними моделями розраховано середню дрейфову швидкість переміщення атомів Іn в CdTe при наносекундному лазерному опроміненні структури Іn/CdTe у випадку твердофазної дифузії, що становить 3…24 см/с. Розділено вплив факторів стиску та розтягу кристалічної гратки при перерозподілі легуючих атомів (In, Cl) та точкових дефектів за рахунок різниці дилатаційних об'ємів. Отримано та проаналізовано спектри низькотемпературної (Т = 20 К) фотолюмінесценції кристалів CdTe після наносекундного лазерного опромінення KrF-ексимерним лазером та після лазерно-індукованої дифузії атомів індію з плівки. При лазерному опроміненні структури плівка Іn/р - CdTe утворюється інверсійний шар (n- типу), оскільки на спектрах фотолюмінесценції зникає пік А0Х, який пов'язаний з комплексом (VCd - ClTe), а виникає пік при 1,593 еВ (D0Х)In який пов'язаний з мілким донором In. При цьому зареєстровано зростання інтенсивності фотолюмінесценції в області вільних екситонів (короткохвильова область). Опис продукції Встановлено та вивчено домінуючі механізми масопереносу індію в CdTe та твердих розчинах на основі CdTe при їх наносекундному лазерному опроміненні з утворенням інверсійних і варізонних шарів. Отримано концентраційний профіль розподілу атомів індію, кадмію та телуру у CdTe після однократного опромінення структури Іn/CdTe з боку плівки індію товщиною 30 нм імпульсом ексимерного лазера (248 нм, 20 нс) при Епад = 100 мДж/см2. Розраховано середню дрейфову швидкість переміщення атомів Іn в CdTe при наносекундному лазерному опроміненні структури Іn/CdTe у випадку твердофазної дифузії. Отримано та проаналізовано спектри низькотемпературної (Т = 20 К) фотолюмінесценції кристалів CdTe після наносекундного лазерного опромінення KrF-ексимерним лазером та після лазерно-індукованої дифузії атомів індію з плівки. Автори роботи Бойко М.І. Велещук В.П. Власенко З. К. Власенко О. І. Гнатюк В.А. Киселюк М.П. Левицький С. М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити