Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U007469, 0112U004050 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 01-02-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Встановлено, що в режимі ШТО 400-500°С омічний контакт на основі контактоутворюючого шару із тонкоплівкового пакету Au+Ge до n-n+-n++ структур InP створюється по механізму твердофазних реакцій. Показано, що в процесі ШТО в приконтактній області InP внаслідок масопереносу германію виникає тонкий сильнолегований n+ шар InP. Теоретично обґрунтовано і експериментально підтверджено механізм підвищення питомого контактного опору омічних контактів до фосфідіндієвих діодів Ганна зі сходинкою легування n+-n типу в приконтактній області InP. Розроблено ескізну конструкторську документацію на корпуси діодів Ганна на частотний діапазон 90-118 ГГц. Опис продукції Автори роботи А.В.Саченко В.В.Мілєнін В.М.Шеремет Р.В.Конакова С.В.Новицький Я.Я.Кудрик Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити