Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U007470, 0112U004052 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення базових нанотехнологій створення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні на основі напівпровідникових структур A3B5 з наноструктурними буферними шарами і структурованими дифузійними бар'єрами Назва етапу роботи Керівник роботи Шеремет Володимир Миколайович, Дата реєстрації 28-12-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено і досліджено нові контактні системи Pd-Ti-Pd-Au і Ti-Pd-TiB2-Au до шарів GaN n+ типу. Контактна система Pd-Ti-Pd-Au забезпечує контакт з опором 2·10^-6 Ом·см^2, який практично не змінюється в інтервалі температур 200-350 К. Проведені комплексні дослідження rc(T) омічних контактів Pd-Ti-Pd-Au, Ti-Pd-Au, Ti-Pd-TiB2-Au до епітаксіальних шарів n+-GaN, отриманих різними методами. На залежностях rc(T) спостерігаються ділянки експоненціального спаду rc(T), а також ділянки дуже слабкої залежності rc(T) при вищих температурах. Крім того в низькотемпературній області для контакту Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, спостерігається ділянка насичення rc(T). Ця ділянка з'являється тільки після швидкого термічного відпалу (ШТО). З використанням розроблених контактних систем досліджена конструкція чіпа активного елементу на основі епітаксіальної структури GaN n+-n-n+ типу на високолегованій підкладці 4HSiC із захистом мезаструктури малого діаметру (~25 мкм) ізолюючою областю, сформованою в шарі GaN методом іонної імплантації іонів гелію. Проведені дослідження макетних зразків GaN n+-n-n+ структур малого діаметру показали можливість побудови на їх основі активних НВЧ елементів. Опис продукції Техпроцеси формування контактних структур з наноструктурованими дифузійними бар'єрами на їх основі. Базова конструкція чіпів активних елементів на основі структур n+ - n - n+ GaN для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Автори роботи Кладько Василь Петрович Конакова Раїса Ваислівна Кудрик Ярослав Ярославович Саченко Анатолій Васильович Шеремет Володимир Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Шеремет Володимир Миколайович. Розроблення базових нанотехнологій створення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні на основі напівпровідникових структур A3B5 з наноструктурними буферними шарами і структурованими дифузійними бар'єрами. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0212U007470
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16