Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U007797, 0111U001319 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження, моделювання та розробка запам'ятовуючих елементів і пристроїв з руйнівним та неруйнівним зчитуванням на нанорозмірних сегнетоелектричних плівках Назва етапу роботи Керівник роботи Мартинюк Яків Васильович, Дата реєстрації 28-12-2012 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис етапу Розроблено нову технологію осадження нанорозмірних (20-50 нм) сегнетоелектричних плівок (НСП) для енергонезалежних запам'ятовуючих елементів (ЗЕ), в тому числі, метод ВЧ магнетронного розпилення із замкнутим дрейфом високоенергетичних вторинних електронів. Опрацьовано метод та засоби ВЧ плазмового розпилення монолітних керамічних мішеней на основі сполук з оксидів цирконію, титану, свинцю в напрямку зменшення товщини плівки; розроблено технологію ультразвукової обробки НСП, яка забезпечує збільшення реорієнтаційної поляризації та зменшення напруги переполяризації. Розроблено нову комп'ютерну модель ЗЕ на НСП, що реалізує покрокове інтегрування перехідних процесів як суперпозицію процесів перемикання великого числа диполів сегнетоелектрика і розраховує сумарний результат струму, напруги та заряду поляризації ЗЕ під дією імпульсів запису, зчитування та перешкод. Отримано значення параметрів ЗЕ необхідних для проектування запам'ятовуючих пристроїв та інтегральних мікросхем в SPICE. Виготовлено макетний зразок ЗЕ на НСП з покращеними параметрами та експлуатаційними характеристиками. Опис продукції Розроблено нову технологію осадження нанорозмірних (20-50 нм) сегнетоелектричних плівок для енергонезалежних запам'ятовуючих елементів. Опрацьовано метод та засоби ВЧ плазмового розпилення керамічних мішеней на основі ЦТС в напрямку зменшення товщини плівки. Застосовано щілеві мішені, безкраплинні випаровувачі та ультразвукову активацію пластин, що забезпечують збільшення реорієнтаційної поляризації та зменшення напруги переполяризації. Розроблено нову комп'ютерну модель елементів пам'яті для САПР. Виготовлено макетний зразок елементів пам'яті на нанорозмірній сегнетоелектричній плівці. Автори роботи Божко А.П. Верба О.А. Геращенко Д.В. Грищенко О.М. Зюзя О.А. Клето Г.І. Корабльов Г.Ф. Марковський О.П. Мартинюк О.Я. Скороход І.О. Юрчишин В.Я. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Дослідження, моделювання та розробка запам'ятовуючих елементів і пристроїв з руйнівним та неруйнівним зчитуванням на нанорозмірних сегнетоелектричних плівках
Керівник: Мартинюк Яків Васильович. Дослідження, моделювання та розробка запам'ятовуючих елементів і пристроїв з руйнівним та неруйнівним зчитуванням на нанорозмірних сегнетоелектричних плівках. (Етап: ). Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського". № 0212U007797
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку