Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U008254, 0112U003693 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія, спектральні та термоелектричні властивості багатошарових низькорозмірних гетероструктур на основі халькогенідів свинцю Назва етапу роботи Керівник роботи Фреїк Дмитро Михайлович, Дата реєстрації 07-12-2012 Організація виконавець Державний вищий навчальний заклад "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" Опис етапу Станум телурид, поряд із PbTe, перспективний термоелектричний матеріал із стабільним р-типом провідності і високою концентрацією носіїв. Підвищений інтерес до цих сполук спричинений теоретичним передбаченням та експериментальним підтвердженням можливості значного підвищення термоелектричної добротності у тонких плівках та квантово-розмірних структурах за рахунок можливості незалежного впливу технологічними факторами процесу вирощування на електрофізичні параметри. У роботі представлено результати проведених досліджень процесів формування, топології поверхні тонких полівок і наноструктур станум телуриду отриманих параофазними методами. Вивчено особливості механізмів розсіювання носіїв струму у тонких плівках SnTe, осаджених на підкладках із поліамідної стрічки. Приведено спектри поглинання наноструктур SnTe для інфрачервоної області оптичного спектру. Показано, що якщо у товщинних (d)-залежностях питомої електропровідності, коефіцієнта Зеєбека і термоелектричної потужності тонких плівок SnTe мають місце класичні розмірні ефекти, пов'язані із дифузним розсіюванням носіїв на поверхні і межах зерен, то у наноструктурах - осциляційні, зумовлені квантуванням спектру енергії носіїв заряду у квантових ямах, утворених бар'єрами на межах підкладки та поверхневих нанокластерів. Виконано електронно-мікроскопічне дослідження механізмів росту гетероструктур PbTe/SnTe/PbTe, отриманих термічним випаровуванням у вакуумі на підкладки KCl. Встановлено, що структура PbTe/SnTe/PbTe росте шар за шаром з утворенням дислокацій невідповідності на межі розділу при критичній товщини 2 нм. Експериментально визначено залежність пружних напружень в зростаючому шарі (PbTe або SnTe) від товщини шару які добре узгоджуються з розрахованими теоретично. Товщинні залежності термоелектричних властивості були інтерпретовані в рамках тришарової моделі, розглядаючи гетероструктури PbTe/SnTe/PbTe, як три провідники, з'єднані паралельно, кожен з яких характеризується своїми електрофізичними параметрами. Опис продукції У роботі представлено результати проведених досліджень процесів формування, топології поверхні тонких полівок і наноструктур станум телуриду отриманих параофазними методами. Вивчено особливості механізмів розсіювання носіїв струму у тонких плівках SnTe, осаджених на підкладках із поліамідної стрічки. Виконано електронно-мікроскопічне дослідження механізмів росту гетероструктур PbTe/SnTe/PbTe, отриманих термічним випаровуванням у вакуумі на підкладки KCl. Встановлено, що структура PbTe/SnTe/PbTe росте шар за шаром з утворенням дислокацій невідповідності на межі розділу при критичній товщини 2 нм. Експериментально визначено залежність пружних напружень в зростаючому шарі (PbTe або SnTe) від товщини шару які добре узгоджуються з розрахованими теоретично. Автори роботи Балан Володимир Юрієвич Возняк Оорест Михайлович Горічок Ігор Володимирович Дзумедзей Роман Олексійович Дундза Богдан Степанович Потяк Володимир Юрієвич Цимбрикевич Йосип Костянтинович Юрчишин Іігор Костянтинович Яворський Ярослав Святославович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити