Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U000063, 0112U006485 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення промислової бази виготовлення світлодіодів білого спектра випромінювання (друга черга) Назва етапу роботи Керівник роботи Парфенюк Павло Васильович, Дата реєстрації 15-01-2013 Організація виконавець Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" в особі Львівської філії Публічного акціонерного товариства "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Розроблено ескізний проект технологічної документації на виготовлення гетероструктур із квантовими точками для світлодіодів білого спектру випромінювання потужністю 4-6 Вт. Проведено експериментальні дослідження кристалічної досконалості та складу гетероструктур, отриманих методами високороздільної рентгенівської дифрактометрії, густини дислокації, визначено склад та необхідні товщини шарів епітаксійних структур, режими їх вирощування. Визначено вплив щільності дислокацій на інтенсивність спектрів фотолюмінесценції гетероструктур та температурні залежності цієї інтенсивності. Проведені експериментальні запуски виготовлення гетероструктур. Виготовлена та досліджена дослідна партія гетероструктур з квантовими точками для світлодіодів білого спектру випромінювання потужністю 4-6 Вт, проведено коригування технології їх виготовлення. Проведено монтаж "чистої кімнати" для виробництва гетероструктур для світлодіодів білого спектру випромінювання. Опис продукції В результаті виготовлення дослідних партій гетероструктур з квантовими точками для світлодіодів білого спектру випромінювання потужністю 2-4-6 Вт та оптимізації технологічного процесу технологічний регламент включає: 1) нанопатернування сапфірової підкладки; 2) відпал пластин для структуризації поверхні сапфіру (0001); 3) нітридизацію поверхні сапфіру; 4) вирощування низькотемпературного зародкового шару GaN; 5) вирощування високотемпературного шару GaN n-типу; 6) ріст квантових точок InGaN/GaN методом переривання; 7) ріст шару AlxGa1-xN-p+; 8) ріст шару GaN-p+. Процес дозволяє одержання гетероструктур з піком випромінювання 462 нм, щільністю квантових точок 1,1?1012 см-2 та щільністю дислокацій на нанопатернованій підкладці 8,8?106 см-2. Автори роботи Владиченко О.М. Доценко А.М. Завалішин А.О. Карпінський К.Б. Коваленко В.М. Корчагін Ю.Д. Кролівець С.К. Ларкіна Н.В. Лащенко Л.М. Луговський В.В. Ляхова Н.О. Мержвинський А.О. Мержвинський П.О. Олійник А.В. Ориховський Б.Г. Павлюк Є.В. Панна О.В. Сипало О.О. Шимоновський О.Б. Якуніна Н.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити