Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U000127, 0110U006080 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка пристроїв оптоелектроніки на багатошарових епітаксійних наноструктурах сполук SiGe, їх оксидів та рідкоземельних елементів Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Дата реєстрації 17-01-2013 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Експериментально показано при провідній атомно-силовій мікроскопії ізольованої квантової точки Ge, що, у відповідності з раніше доведеним розподілом пружних деформацій, максимальна густина поверхневих станів розташована в латеральному контурі квантової точки і лінійно залежить від діаметру контуру. Зсув напруги відсікання вольт-амперних характеристик при цьому відповідає типу провідності та підтверджує тунельно-активаційний механізм переносу заряду в таких системах. Розроблено та отримано 2D- та 3D-вимірні структури з ізовалентною домішкою Er в наноутвореннях Ge на Si та Ge на SiOх та досліджуються люмінесцентні властивості таких систем. Опис продукції Автори роботи Канєвський В.І. Козирев Юрій Миколайович Рубежанська М.Ю. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити