Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U000128, 0110U006080 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка пристроїв оптоелектроніки на багатошарових епітаксійних наноструктурах сполук SiGe, їх оксидів та рідкоземельних елементів Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Дата реєстрації 17-01-2013 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Розроблено методику епітаксійного росту одношарових та багатошарових гетероструктур Ge/Si з квантовими точками Ge. Використання методу системи проміжних шарів дозволило одержувати системи нанокластерів з більш однорідним розподілом по поверхні підкладки, що д вважати квантові точки вертикально інтегрованими у різних шарах.. Дослідження повздовжньої фотопровідності та фото-ерс гетероструктур Si/Ge з наноострівцями SiGe виявили наявність локалізованих станів у валентній зоні наноострівців Ge з енергетичними відстанями між ними приблизно 0.32 та 0.34 eВ. Більше того, повздовжній фотострум визначається характером транспорту нерівноважних носіїв заряду, а отже і властивостями функції постачання. Внутрішньозонні переходи між локалізованими станами у валентній зоні наноострівців Ge, на наш погляд, відповідають за повздовжню фотопровідність та фотопольову емісію, що спостерігається у середній інфрачервоній області у гетероструктурах Si/Ge з квантовими точками Ge. Опис продукції Автори роботи Козирев Юрій Миколайович Рубежанська М.Ю. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити