Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U000129, 0110U006080 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка пристроїв оптоелектроніки на багатошарових епітаксійних наноструктурах сполук SiGe, їх оксидів та рідкоземельних елементів Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Дата реєстрації 17-01-2013 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Для пояснення ефекту залишкової провідності та оптичного гасіння провідності в гетеросистемах Ge-НК/SiO2/Si залучена модель, яка передбачає оптичну перезарядку станів наноострівців та інтерфейсів Ge/SiO2 і SiO2/Si, та її вплив на величину поверхневої провідності в підкладці p-Si. Так, стан із підвищеною (у порівнянні з рівноважною) провідністю індукується внаслідок зменшення поверхневого вигину зон при зона-зонному збудженні в p-Si, спричиненого ефектом поля при зменшенні додатнього заряду, захопленого нанокластерами. Показано, що при збудженні квантами з енергією 0.6 - 1.0 еВ перехід гетеросистеми в довготривалий нерівноважний стан з величиною провідності, меншою за рівноважну, спричинений просторовим розділенням фотозбуджених у нанокластерах Ge електронно-дірових пар, коли нерівноважні дірки захоплюються станами нанокластерів та їх інтерфейсу, тим самим збільшуючи поверхневий вигин зон області збіднення підкладки p-Si і, відповідно, зменшуючи поверхневу провідність. Опис продукції Автори роботи Козирев Юрій Миколайович Рубежанська М.Ю. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити