Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0213U000163, 0110U004655 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення та розвиток методу субмікронного топографування та паспортизації хімічного складу, структурної досконалості, електрофізичних параметрів та розподілу механічних напружень у наноструктурах електроніки і оптоелектроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 18-01-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено і вдосконалено апаратне забезпечення і діагностичні методи високороздільної скануючої оптичної конфокальної Раманівської та люмінесцентної спектроскопії. Досліджено просторовий розподіл механічних напружень в кремнієвих нанонитках вирощених методом підсиленого золотом хімічного осадження на легованих бором підкладках кремнію Si(100) та Si(111). Показано неоднорідний характер розподілу механічних напружень як в нанонитках, так і в підкладці, що призводить до зміни їх структури та зародження включень гексагональної фази в перхідній інтерфейсній області. Методами магнітно-силової мікроскопії встановлено, що леговані плівки Zn1-хСохO є феромагнітними при кімнатній температурі, що пояснено непрямою обмінною взаємодією як ізольованих іонів Со2+, так і іонів Со2+ у кластерних (Со О Со)n (n 1) конфігураціях. З'ясовано основні закономірності прояву в спектрах ФЛ і КРС ефектів заміщення Zn2+ катіоном перехідного металу Со2+ в матриці ZnO. Методом мікро-КРС спектроскопії досліджено електрон-фононні резонанси в одношаровому графені. При збільшенні потужності збуджуючого випромінювання в спектрах КРС графену зареєстровано появу і різке збільшення інтенсивності D-подібних смуг краю зони Брілюена, що зумовлено генерацією структурних дефектів в шарі графену. Досліджено дисперсію фононів одношарового графену в околі точки К зони Брілюена вздовж напрямку К-М. Досліджено розподіл кристалічної якості, механічних напружень та структурних фаз в приповерхневих шарах кристалічних кремнієвих матеріалів сонячної енергетики. Показано наявність в досліджуваних структурах порушених приповерхневих шарів для яких при наближенні до поверхні спостерігається поступове погіршення кристалічної якості та зростання залишкових деформації розтягу. Виявлено неоднорідний розподіл кристалічних фаз кремнію в приповерхневій області досліджуваних структур з локальними включеннями змішаної аморфної та нанокристалічної фаз. Опис продукції Результати наукових досліджень будуть використані при вирішені фізичних проблем впливу структурних параметрів на оптичні та електронні властивості наноструктур, що є важливим як для науки, так і для технології. Розробка локальних методів діагностики дозволить проводити топографування динаміки зміни параметрів наноприладів, як функції електричного поля, струму, чи неоднорідного локального просторового розподілу температурних полів. На практиці розроблені методи необхідно застосовувати при виготовлені елементної бази опто- і наноелектронних пристроїв з використанням методів нанотехнологій. Розробка та введення в дію відповідних методик і апаратури для нанодіагностики матеріалів і приладів сприятиме поповненню дохідної частини бюджету України шляхом забезпечення виконання замовлень підприємств та організацій різної форми власності, створенню робочих місць, підвищенню якості підготовки фахівців вітчизняних університетів. Відсутність методик нанодіагностики і отримання просторових топограм із субмікронною ро Автори роботи Авраменко Катерина Андріївна Губанов Віктор Олександрович Коломис Олександр Федорович Ніколенко Андрій Сергійович Насєка Юрій Миколайович Романюк Артем Сергійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Стрельчук Віктор Васильович. Розроблення та розвиток методу субмікронного топографування та паспортизації хімічного складу, структурної досконалості, електрофізичних параметрів та розподілу механічних напружень у наноструктурах електроніки і оптоелектроніки.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0213U000163
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16