Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U000508, 0110U006232 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження надвисокочастотних властивостей напівпровідникових наноструктур з просторовим переносом гарячих носіїв, що забезпечують виникнення від'ємної диференційної провідності (ВДП), підсилення (генерацію) електромагнітного випромінювання. Назва етапу роботи Керівник роботи Порошин Володимир Миколайович, Дата реєстрації 13-02-2013 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Запропоновано моделі для аналізу ефектів просторового переносу носіїв заряду в дельта-легованих гетероструктурах з квантовими ямами під впливом електричного поля для випадків помірного та сильного легування бар'єрів. Показано, що при помірному легуванні перенос гарячих носіїв в реальному просторі призводить до насичення струму, а при сильному же легуванні - до падаючої вольт-амперної характеристики (від'ємна диференційна провідність). Експериментально вивченні енергетичні параметри центрів, що виникають в епітаксіальних шарах AlGaAs з різним вмістом алюмінію (0.15-0.3), легованих атомами кремнію. Встановлено,що глибокі центрі виникають при вмісті алюмінію близькому до 30 %. Для цих структур виявлена нелінійність вольт - амперних характеристик, яка пояснена зменшенням концентрації носіїв струму в квантових ямах внаслідок захоплення їх на глибокі центри у бар'єрах при розігріві носіїв електричним полем. Опис продукції Для аналізу ефектів просторового переносу носіїв заряду в системі квантових ям з дельта-легованими бар'єрами під впливом електричного поля запропоновано дві моделі для випадків помірного та сильного легування бар'єрів. Для обох моделей враховуються розігрів носіїв електричним полем та електростатичні ефекти, що виникають при перерозподілі носіїв в просторі. Показано, що при помірному легуванні бар'єрів розігрів електронного газу призводить скоріше до насичення струму ніж до падаючої вольт-амперної характеристики. При сильному легуванні бар'єрів перенос гарячих носіїв в реальному просторі призводить до падаючої вольт-амперної характеристики. Експериментально встановлено, що в гетероструктурах GaAs/AlGaAs глибокі центри у бар'єрах виникають при легуванні їх кремнієм при вмісті алюмінію близькому до 30%. Для цих гетероструктур виявлена сильна нелінійність вольт-амперних характеристик, яка пояснена зменшенням концентрації носіїв струму в квантових ямах внаслідок захоплення їх на глибокі центри у бар'єрах при Автори роботи Біличенко Ярослав Григорович Більовський Павло Антонович Вайнберг Віктор Володимирович Васецький Віктор Михайлович Винославський Михайло Миколайович Коротєєв Вадим В'ячеславович Кочелап В'ячеслав Олександрович Кочелап В'ячеслав Олександрович. Пилипчук Олександр Сергійович Порошин Володимир Миколайович Райчев Олег Едуардович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити