Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U000610, 0112U003395 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення плазмової технології осадження наноструктурованих шарів нітридів алюмінію та бору для захисту поверхні НВЧ приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Заяць Микола Сергійович, Дата реєстрації 26-02-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В результаті виконання III-го етапу проекту проведена оптимізація технологічних параметрів низькотемпературного іонно-плазмового формування наноструктурованих гексагональних шарів BN та AlN методом магнетронного розпилення відповідних мішеней на кремнієвих та кварцових підкладках без подачі на них потенціалу зміщення (режим плаваючого потенціалу). Розроблена та впроваджена в технологічний процес методика експресного оптичного моніторингу закономірностей осадження плівок BN та AlN з необхідними структурними, оптичними та електричними властивостями та проведені дослідження експериментальних зразків для їх практичного використання в приладних тонко плівкових структурах електроніки, оптоелектроніки та сенсорики. Опис продукції оригінальна технологія отримання наноструктурованих шарів AlN та BN і шаруватих структур на їх основі з параметрами, які є не гіршими або перевищують парметри відомих з літератури аналогів, про які відомо з літератури. Автори роботи В.Б. Лозінський В.Г. Бойко М.І. Клюй М.С. Заяць Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити