Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U000905, 0108U004561 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення і створення комплексу експресного контролю параметрів матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Глинчук Костянтин Давидович, Стрільчук Оксана Миколаївна, Дата реєстрації 12-04-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Звіт по НДР: 24 с., 3 частини, 10 рисунків, 1 Таблиця , 9 посилань. Метою проекту є розробка фізичних основ методу люмінесцентної експрес-діагностики та прогнозування параметрів матеріалів , перспективних для створення напівпровідникових детекторів ядерного випромінювання. На основі цього методу створено комплекс для контролю якості і однорідності матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання. Об'єктом випробовування експрес-діагностики були матеріали CdTe, потрійні сполуки CdZnTe, леговані різними домішками. Теоретично обгрунтовано фізичні основи методу люмінесцентної діагностики напівпровідникових матеріалів, що використовуються для виготовлення детекторів іонізуючого випромінювання. Отримано аналітичні вирази для інтенсивностей низькотемпературних (T 4.2 K, 77 K, 300 K) краєвих смуг люмінесценції, які є індикатором якості матеріалу, та окреслені основні критерії визначення придатності кристалів Cd1-хZnхTe для виготовлення детекторів. Встановлена пряма кореляційна залежність між спектрами низькотемпературної фотолюмінесценції легованих та нелегованих кристалів CdZnTe та енергетичною роздільною здатністю детекторів ядерного випромінювання, виготовлених з цих кристалів. Розроблена методика визначення складу потрійних сполук Cd1-хZnхTe на підставі отриманих кореляційних залежностей між положенням максимуму екситонної смуги люмінесценції кристалів Cd1-хZnхTe та локальною концентрацією х цинку в них. Встановлені реальні значення похибок визначення складу х потрійних сполук Cd1-xZnxTe при різних температурах вимірювання спектрів ( 6- 8%, 3-8% та 10-20% для 4.2, 77 та 300 K відповідно). Визначена оптимальна концентрація легуючої домішки In (NIn= 1017cм-3 ) кристалів Cd0.9Zn0.1Te, що використовуються для виготовлення детекторів з високими спектрометричними характеристиками. Створено контрольно-вимірювальний комплекс з відповідним програмним забезпеченням для експресної діагностики матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання. Практична значимість проекту полягає у можливості попередньої оцінки якості і відбору матеріалу, прогнозуванні його властивостей, що спрощує процес створення детекторів і збільшує процент виходу якісних приладів. Результати НДР можуть бути використані в таких сферах: електронній промисловості, охорона навколишнього середовища, наука, медицина. НАПІВПРОВІДНИКОВІ СЕНСОРИ, СПОЛУКИ CdZnTe, ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, ДЕТЕКТОРИ ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ Опис продукції Метою проекту є розробка фізичних основ методу люмінесцентної експрес-діагностики та прогнозування параметрів матеріалів , перспективних для створення напівпровідникових детекторів ядерного випромінювання. На основі цього методу створено комплекс для контролю якості і однорідності матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання. Об'єктом випробовування експрес-діагностики були матеріали CdTe, потрійні сполуки CdZnTe, леговані різними домішками. Автори роботи Воробкало Ф.М. ГлинчукК.Д. Литовченко Н.М. Ляпін О.М. Насєка Ю.М. Стрільчук О.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити