Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U001254, 0112U005095 , Науково-дослідна робота Назва роботи Синтез нових фотонних композиційних матеріалів з металічними наночастинками на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників Назва етапу роботи Керівник роботи Кавецький Тарас Степанович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 25-01-2013 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Розраховано за допомогою програми SRIM-2012 для вибраних умов гаусів профіль розподілу по глибині імплантованої домішки міді в матриці As2S3, який демонструє товщину залягання іонів в приповерхневому шарі напівпровідника ~ 60 нм; подібні оцінки отримано і для ХСН Ge15.8As21S63.2; на відміну від вихідної матриці, імплантований зразок Cu:As2S3 характеризується наявністю у видимій області спектру селективної смуги поглинання з максимумом ~ 580-590 нм; дана смуга вказує на формування в As2S3 наночастинок міді; її наявність зумовлена ефектом поверхневого плазмонного резонансу (ППР) в металічних наночастинках; в спектрі пропускання зразка Cu:Ge15.8As21S63.2 ППР-поглинання металічних наночастинок спостерігається менш чітко, тим не менше, концентрація міді, яка визначається іонною дозою, в матриці ХСН Ge15.8As21S63.2 така велика, що її також цілком вистарчає для зародження і формування наночастинок міді. Опис продукції Cинтезовані нові фотонні композиційні матеріали з наночастинками міді та срібла на основі позитивно атестованих матриць халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) з використанням методу іонної імплантації. Автори роботи Кавецька Надія Маркіянівна Кавецький Орест Степанович Кавецький Тарас Степанович Цмоць Володимир Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити