Реєстраційний номер
0213U001254,
0112U005095
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Синтез нових фотонних композиційних матеріалів з металічними наночастинками на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Кавецький Тарас Степанович, Кандидат фізико-математичних наук
Дата реєстрації
25-01-2013
Організація виконавець
Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
Опис етапу
Розраховано за допомогою програми SRIM-2012 для вибраних умов гаусів профіль розподілу по глибині імплантованої домішки міді в матриці As2S3, який демонструє товщину залягання іонів в приповерхневому шарі напівпровідника ~ 60 нм; подібні оцінки отримано і для ХСН Ge15.8As21S63.2; на відміну від вихідної матриці, імплантований зразок Cu:As2S3 характеризується наявністю у видимій області спектру селективної смуги поглинання з максимумом ~ 580-590 нм; дана смуга вказує на формування в As2S3 наночастинок міді; її наявність зумовлена ефектом поверхневого плазмонного резонансу (ППР) в металічних наночастинках; в спектрі пропускання зразка Cu:Ge15.8As21S63.2 ППР-поглинання металічних наночастинок спостерігається менш чітко, тим не менше, концентрація міді, яка визначається іонною дозою, в матриці ХСН Ge15.8As21S63.2 така велика, що її також цілком вистарчає для зародження і формування наночастинок міді.
Опис продукції
Cинтезовані нові фотонні композиційні матеріали з наночастинками міді та срібла на основі позитивно атестованих матриць халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) з використанням методу іонної імплантації.
Автори роботи
Кавецька Надія Маркіянівна
Кавецький Орест Степанович
Кавецький Тарас Степанович
Цмоць Володимир Михайлович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
