Реєстраційний номер
0213U001257,
0112U003689
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Нанорозмірна характеризація халькогенідних та халькогенгалогенідних стекол з вмістом металів та рідкісноземельних елементів для прогресивних технологічних застосувань
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Кавецький Тарас Степанович, Кандидат фізико-математичних наук
Дата реєстрації
25-01-2013
Організація виконавець
Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
Опис етапу
Проведено нанорозмірну характеризацію халькогенгалогенідних стекол з вмістом РЗ елементів систем 60GeS2-20Ga2S3-20CsCl (Tm2S3, Tm2S3-Nd2S3, Ho-Tm2S3, Ho) та 70GeS2-10In2S3-20CsBr (Tm2S3). Результати дослідження стекол на основі системи 70GeS2-10In2S3-20CsBr (мол%) з концентрацією Tm2S3 в області 0.05-0.5 мол% із використанням методу часового розподілу анігіляційних фотонів показали, що час життя дефектної компоненти ?2 і відповідна інтенсивність I2 мають екстремальні значення (мінімальне значення ?2 та максимальне значення I2) для складу з 0.38 мол% Tm2S3 у якому в літературі спостережено підвищення смуги люмінесценції при положенні 1480 нм. На основі співвідношення між часом життя дефектної компоненти ?2 та радіуса порожнини R для R < 5 A розраховано середній розмір порожнинних дефектів, який для складу з 0.38 мол% Tm2S3 складає порядку R = 2.5 A чи V = 65 A3 у сферичному наближенні. З отриманих результатів методом доплерівського розширення анігіляційної лінії на основі залежності доплерівських параметрів S від W для стекол системи 60GeS2-20Ga2S3-20CsCl (GGS-CsCl) у порівнянні з стеклами системи 70GeS2-10In2S3-20CsBr (GIS-CsBr) встановлено, що стекла системи GIS-CsBr характеризуються менш дефектною структурою ніж стекла системи GGS-CsCl. Даний висновок є важливим у практичному аспекті при використанні досліджуваних халькогенгалогенідних стекол у халькогенідній фотоніці.
Опис продукції
Параметри нанорозмірної характеризації халькогенгалогенідних стекол з вмістом рідкісноземельних елементів систем 60GeS2-20Ga2S3-20CsCl (Tm2S3, Tm2S3-Nd2S3, Ho-Tm2S3, Ho) та 70GeS2-10In2S3-20CsBr (Tm2S3), що отримані з використанням методів високоенергетичної синхротронної рентгенівської дифракції та позитронної анігіляційної спектроскопії.
Автори роботи
Дубик Оксана Михайлівна
Кавецький Орест Степанович
Кавецький Тарас Степанович
Цмоць Володимир Михайлович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
