Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U001369, 0110U006262 , Науково-дослідна робота Назва роботи Оптичні, електронні та спінові явища в наноструктурах металевої, напівпровідникової та органічної природи. Назва етапу роботи Керівник роботи Порошин Володимир Миколайович, Дата реєстрації 30-01-2013 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Експериментально встановлений вплив деформації на електричну провідність плівок напівпровідникового фулюрена. Ефект пояснений зміною при деформації відстані між нанокристалами фулюрена, що призводить до зміни ймовірності туннелирования носіїв заряду між ними. Показано, що легування гетероструктур мілкими домішками в область квантової ями приводить до утворення домішкої зона, яка суттєво змінює характер латеральної низькотемпературної провідності в слабих і сильних електричних полях. У випадку тунельно-зв'язаних квантових ям, при дельта-легуванні в область однієї з них, утворення домішкової зони призводить до проявлення в латеральній провідності особливостей резонансного типу. Виявлено, що полікристалічні наноплівки сплаву Гейслера (Co2Fe)хGe1-x, вирощені на монокристалічних Si (001) підкладках з аморфним поверхневим шаром SiO2, мають магнітну анізотропію, тип якої залежить від складу сплаву. При x~0.5 плівки мають одновісну анізотропію з легкою віссю, направленою вздовж поля намагнічування. У плівках з більшим х виявлено також ростову анізотропію 2-го та 4-го порядків, яка є наслідком їх часткової текстурованості. Виникнення індукованої намагніченням легковісної в площині плівки анізотропії пояснено в наближенні моделі сухого магнітного тертя. Опис продукції Експериментально встановлений вплив деформації на електричну провідність плівок напівпровідникового фулерена. Ефект пояснений зміною при деформації відстані між нанокристалами фулерена, що призводить до зміни ймовірності тунелювання носіїв заряду між ними. Показано, що легування гетероструктур мілкими домішками в область квантової ями приводить до утворення домішкової зони, яка суттєво змінює характер латеральної низькотемпературної провідності в слабих і сильних електричних полях. У випадку тунельно-зв'язаних квантових ям, при дельта-легуванні в область однієї з них, утворення домішкової зони призводить до проявлення в латеральній провідності особливостей резонансного типу. Виявлено, що полікристалічні наноплівки сплаву Гейслера (Co2Fe)хGe1-x, вирощені на монокристалічних Si (001) підкладках з аморфним поверхневим шаром SiO2, мають магнітну анізотропію, тип якої залежить від складу сплаву. При x~0.5 плівки мають одновісну анізотропію з легкою віссю, направленою вздовж поля намагнічування. У плівках з б Автори роботи Єжов Павло Валентинович Більовський Павло Антонович Блонський Іван Васильович Бондар Олександр Васильович Борщ Анатолій Олександрович Вайнберг Віктор Володимирович Волков Владислав Іванович Дмитрук Іван Миколайович Дмитрук Андрій Миколайович Зубрілін Микола Глібович Кадан Віктор Миколайович Кадащук Андрій Костянтинович Качалова Наталія Михайлівна Коренюк Петро Іванович Кохтич Людмила Михайлівна Литвинов Олексій Миколайович Лозенко Альберт Федорович Ляховецький Володимир Романович Огурцов Володимир Володимирович Пилипчук Олександр Сергійович Порошин Володимир Миколайович Романенко Віктор Іванович Рябченко Сергій Михайлович Сарбей Олег Георгійович Скришевський Юрій Антонович Смірнова Тетяна Миколаївна Фіщук Іван Іванович Яценко Леонід Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити